2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。
11月2日下午，SSLCHINA 2017之材料與裝備技術分會如期舉行。中微半導體設備（上海）有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司、維易科精密儀器國際貿易（上海）有限公司為本次分會提供了協辦支持。
美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU，挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，北京大學教授陳志忠、南昌大學教授劉軍林、中微(上海)有限公司主任研究員胡建正、北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經理劉利堅，德國愛思強股份有限公司副總裁Michael HEUKEN、美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監Mark MCKEE等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜，河北工業大學教授畢文剛共同主持了本次分會。
MOCVD設備作為LED領域最為重要的裝備，其發展一直是業內關注的焦點，近些年中國設備廠商進步明顯。會上，中微(上海)有限公司主任研究員胡建正分享了介紹了基于高產率MOCVD平臺 - AMEC Prismo A7TM的氮鎵LED生長研究。胡建正主要研究基于GaN材料的LED器件設計、性能及可靠性分析。主要參與進行了中微第一代及第二代MOCVD的設計、工藝開發及客戶技術支持。
人們一直在努力降低III族氮化物器件的成本。利用高產率的MOCVD平臺是降低成本的關鍵因素之一，當前PSS是主流方式，近期中微推出了其高產率MOCVD平臺 -AMEC Prismo A7TM，主要用來進行氮化鎵LED外延加工以及其他應用。每臺Prismo A7TM設備可容納多達4個反應腔，同時加工136片4英寸外延晶片，并且每個反應腔都可以獨立控制。
為進一步達到優化性能、提高產量并降低生產成本的目標，中微在反應腔設計時特別關注氮化鎵外延的關鍵工藝要求，包括工藝均勻性、設備可靠性、工藝重復性、簡單操作性等。報告中，胡建正介紹了中微的一些最新設備數據，以及性能提升之處，并詳細分享了高產率4”外延片的生產過程以及6”藍寶石襯底LED的生長的結果。
為進一步達到優化性能、提高產量并降低生產成本的目標，中微在反應腔設計時特別關注氮化鎵外延的關鍵工藝要求，包括工藝均勻性、設備可靠性、工藝重復性、簡單操作性等。報告中，胡建正介紹了中微的一些最新設備數據，以及性能提升之處，并詳細分享了高產率4”外延片的生產過程以及6”藍寶石襯底LED的生長的結果。
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