隨著LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片數越來越多，從而降低單顆芯片的成本，另一方面單芯片功率越做越大，如現在是3W，將來會往5W、10W發展。這對有功率要求的照明應用可以減少芯片使用數，降低應用系統的成本。倒裝法、高電壓、硅基氮化鎵仍將是半導體照明芯片的發展方向。

　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

　　2日下午，由華燦光電、科銳光電、歐司朗、旭宇光電、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光電、北京工業大學光電子技術省部共建教育部重點實驗室共同協辦支持的“芯片、封裝與模組技術分會上，來自中科院半導體研究所的研究員總工程師伊曉燕分享了“氮化物納米線可控生長與器件應用展望”主題報告。

 

　　她表示，目前從芯片發展趨勢技術上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結構形式去考慮，從器件的結構上怎么樣提高性能。第二個芯片發展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應用空間，從應用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據應用設計出來全新結構的芯片結構形式，現在提的比較多的農業、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成等等方面，這些方面的應用從芯片的角度來說性能上提出了新的要求。

 

　　除了剛才提到的更高發光效率以外還包括了像做定位和通訊系統，就實現更高的頻率，更高的頻率在微納尺寸上更有優勢。

 

　　面對未來LED的發展的形式，它實際上是給我們提供了一個非常好的一種芯片的形式，跟以往的光源都不可設計的，用這些的芯片形式設計出我們想要的芯片形式。

 

　　在納米線的生長過程中我們發現了很多有意思的現象，比如說紅光光譜，生長過程中的轉折，及其新的結構形式，也非常愿意跟大家一起來探討和分享，包括在一些新興器件里面的應用等等。

 

　　用納米線來做一些電學的器件或者是光學的器件，在接觸方面未來的發展，它的可靠性它的一些電學性能怎么樣更好或者是比現在平面的器件？

 

　　她表示，確實是一個挑戰，首先能夠實現納米線的生長就是一個挑戰，做到納米線的器件更是一個挑戰，像光控就需要很多的微型技術的，用石墨烯做互聯，也是納米線的一種互聯形式。另外也是更有賴于現在半導體技術的，微納技術的發展，我們的器件才有可能快速的做出來。（根據現場速記整理，如有出入敬請諒解！）