碳化硅（SiC）材料器件發展在全球范圍內處于快速成長階段，總體來說，國內發展落后于國外。本期，1°姐將和大家分享國內外SiC材料器件發展情況。
背景
SiC電力電子器件可以分為以下類型：
全球市場預測
據YOLE預測，到2020年全球SIC應用市場規模達到5億美元，而到2022年全球SiC市場將會進一步翻一番達到10億美元的規模。其中2016年到2020年年復合增長率（CAGR）將達到28%，而隨著整體市場的加快發展，2020年到2022年這兩年間的CAGR將會猛增到40%。
同時，電動汽車（EV/HEV）以及軌道交通（Rail）等領域的應用從2017年開始逐步擴大應用占比，其他領域應用保持穩定增長態勢。目前，全球有超過30家公司在電力電子領域擁有SiC相關產品的生產、設計、制造和銷售能力。
國內外市場分析
國外：SiC產品系列化,已逐步應用于裝備
國外器件系統研發，其中低功率器件已經產品化。目前國際上推出SiC芯片和模塊的公司包括Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體（STMicroelectronics）等；英飛凌公司最早在2001年推出SiC肖特基二極管，Rohm公司最早在2010年推出SiC MOSFET產品。當前，國外SiC襯底制造技術已經達到8英寸的水平。
國內：應用需求旺盛，產業化亟待突破
單晶襯底方面，主要企業有天科合達，山東天岳，目前天科合達已有6寸SiC單晶襯底產品；
外延生長方面，主要企業和科研機構有廈門瀚天天成、廣東東莞天域，可量產600～1700V級別的外延片，可定制厚度至100μm的外延層，以及P型摻雜的SiC外延層；
器件研制方面，主要企業和科研機構有中科院微電子所、中車時代電氣、中電55所、13所、電子科技大學，西安電子科技大學、浙江大學、國網、泰科天潤等，泰科天潤已實現600~1200V/1~50A肖特基二極管產業化，另有1700V和3300V電壓等級產品；
模塊應用方面，主要企業和科研機構有中車、中科院電工所等。
總體來講，全球SiC產業格局呈現美國、歐洲、日本三足鼎立態勢。其中美國全球獨大，全球SiC產量的70%~80%來自美國公司；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業鏈；日本是設備和模塊開發方面的絕對領先者。
我國LED方面處于國際先進水平，但在三代半的電力電子和微波射頻領域是短板。未來，產業的發展可以圍繞這三個方向努力：1）集中優勢資源扶持龍頭企業和研究機構；2）公共研發平臺共同攻克基礎技術；3）借助行業協會的力量，先行規劃產業發展線路。
出自：www.yole.fr
