三安光電董事會決議斥資333億人民幣（折合新臺幣1,500億元）進行擴產(chǎn)計畫，并點名擴產(chǎn)7大項目，除了一項與LED相關(guān)之外，其余6項涵蓋砷化鎵元件、通訊元件；由于三安在砷化鎵已透過投資廈門三安集成電路，并與臺灣的環(huán)宇-KY合資公司扎根，對砷化鎵的企圖心表露無遺，此次大手筆的5年擴產(chǎn)計畫，業(yè)界研判，砷化鎵才是真正的主戰(zhàn)場。
三安光電成立于2000年，為大陸LED晶片龍頭，憑藉官方對MOCVD設(shè)備的補貼，2016年營收首度超越臺灣的晶電，即使三安光電在技術(shù)層次上不及晶電，但是剽悍的價格攻勢，讓三安光電的晶片塑造出高CP值的形象，攻入各大供應(yīng)鏈。
根據(jù)三安光電的公告，三安光電擬在福建省泉州芯谷南安園區(qū)投資注冊成立一個或若干項目公司，投資總額人民幣333億元，全部項目5年內(nèi)實現(xiàn)投產(chǎn)，7年內(nèi)全部項目實現(xiàn)達產(chǎn)，經(jīng)營期限不少于25年，三安光電預(yù)估，量產(chǎn)后年銷售收入約270億元（按當(dāng)前產(chǎn)品單價計算），折合新臺幣約1,242億元。
關(guān)于競爭對手的擴產(chǎn)行動，晶電表示，三安點名的項目極多，雖然包含藍光LED，不過大陸政府補助策略轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，而且藍光LED的產(chǎn)能足夠，判斷三安投資的重點在第二代、第三代半導(dǎo)體，砷化鎵才是三安未來爭取補助的項目。
三安集團近年除了LED產(chǎn)業(yè)之外，著墨最多的就是砷化鎵，透過投資三安集成電路，在2015年10月試投產(chǎn)，業(yè)務(wù)主力為砷化鎵、氮化鎵晶圓生產(chǎn)線，以及適用于專業(yè)通訊微電子器件市場的砷化鎵高速半導(dǎo)體晶片，與氮化鎵高功率半導(dǎo)體晶片生產(chǎn)線，是大陸第一家研發(fā)、生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體的晶片廠；去年11月，三安集成電路與環(huán)宇-KY合資廈門三安環(huán)宇集成電路公司，跨入6吋砷化鎵晶圓生產(chǎn)，瞄準(zhǔn)通訊相關(guān)應(yīng)用，對砷化鎵的企圖心表露無遺。
依照LED廠的估算，MOCVD機臺造價約150～200萬美元，加上氣體、管線約將近1億元，三安5年1,500億元的投資規(guī)模，「實在不像投資藍光LED的手筆」；反之大陸積極推動5G建設(shè)、扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，砷化鎵在這些領(lǐng)域中均為關(guān)鍵要角，未來三安在砷化鎵投資多少力度？值得觀察。
