“高效半導體照明關鍵材料技術研發（一期）、（二期）”項目開展了Si和藍寶石襯底上高光效低成本的LED外延和產業化關鍵技術、芯片及封裝應用技術等方面的研究，研制出高質量SiC和GaN襯底、深紫外LED器件、高效白光OLED器件和燈具、高質量GaN外延材料、高功率LED薄膜倒裝器件等成果，獲得了擁有自主知識產權的高品質白光照明產品，實現了高純金屬有機化合物（MO）源、熒光粉、硅膠等關鍵材料的國產化，以及LED在植物生長、醫療等領域的應用。

 

　　“十三五”期間，為加快推動材料領域科技創新和產業化發展，科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》，在新材料技術發展方面，重點發展戰略性電子材料、先進結構與復合材料、新型功能與智能材料，滿足戰略性新興產業的發展需求。在戰略性電子材料發展方向中對第三代半導體材料與半導體照明技術進行了系統布局，重點研究內容包括：大尺寸、高質量第三代半導體襯底和薄膜材料外延生長調控規律，高效全光譜光源核心材料、器件和燈具全技術鏈綠色制造技術，超越照明和可見光通訊關鍵技術、系統集成和應用示范，高性能射頻器件、電力電子器件及其模塊設計、工藝技術及應用示范，核心裝備制造技術等。