公司是A股稀缺的具有高端產(chǎn)品和客戶布局，專注于功率半導(dǎo)體的IDM（設(shè)計(jì)+制造+封測(cè)一體化）優(yōu)質(zhì)企業(yè)，2016年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)排名第2位，長(zhǎng)期以來堅(jiān)持品牌經(jīng)營(yíng)和一體化布局，通過產(chǎn)品創(chuàng)新和渠道融合，已綜合構(gòu)建較高的市場(chǎng)拓展能力和盈利能力；未來在現(xiàn)有基礎(chǔ)上將堅(jiān)定內(nèi)生+外延兼顧的發(fā)展戰(zhàn)略，開啟嶄新發(fā)展時(shí)期。
① 鞏固已有產(chǎn)品在消費(fèi)電子和民用市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，積極推進(jìn)拓展軌道交通、電力電網(wǎng)、汽車電子（含新能源汽車）、以及軍工領(lǐng)域，持續(xù)實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)擴(kuò)容和產(chǎn)品附加值提升。
② IDM發(fā)展模式注重工藝積累，過去幾年為功率半導(dǎo)體器件升級(jí)夯實(shí)基礎(chǔ)，在保持大功率二級(jí)管整流橋優(yōu)勢(shì)的前提下，已對(duì)MOSFET進(jìn)行了充分儲(chǔ)備并取得突破，未來積極研發(fā)和布局IGBT產(chǎn)品，相對(duì)傳統(tǒng)業(yè)務(wù)開拓更大市場(chǎng)空間和更高產(chǎn)品附加值領(lǐng)域，更能滿足客戶多樣化需求，符合國(guó)際大廠發(fā)展Si基功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)。
③ 堅(jiān)持內(nèi)生+外延發(fā)展戰(zhàn)略，前瞻把握并積極落地第三代功率半導(dǎo)體等新材料器件，近幾年公司外延戰(zhàn)略從產(chǎn)品到渠道，均取得積極且穩(wěn)健的發(fā)展格局，2017年1月25日聯(lián)合建廣資產(chǎn)（其完成恩智浦NXP兩部分資產(chǎn)收購，18億美元的RF Power部門和27.5億美元的標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)）控股廣盟半導(dǎo)體，即間接參股瑞能半導(dǎo)體獲得高功率轉(zhuǎn)換器件先進(jìn)技術(shù)，并獲得穩(wěn)定的SiC芯片供應(yīng)渠道，在公司原有SiC封裝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)一體化模式，有利于SiC銷售和推廣。與建廣資產(chǎn)的初步合作，或?qū)⒔o公司功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)帶來做大做強(qiáng)的寶貴協(xié)同機(jī)會(huì)。在功率半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中，公司已有產(chǎn)業(yè)格局和融資平臺(tái)優(yōu)勢(shì)逐步顯現(xiàn)，預(yù)計(jì)未來內(nèi)生和外延并重的戰(zhàn)略，迎來持續(xù)快速發(fā)展機(jī)遇。
■產(chǎn)線迭代+工藝積累，募投項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí)：整流二極管-MOSFET-IGBT在結(jié)構(gòu)和技術(shù)上有一定的繼承性，公司先在傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)整流二極管上積累經(jīng)驗(yàn)，逐步推進(jìn)至MOSFET和IGBT，戰(zhàn)略規(guī)劃由4英寸、6英寸過渡到8英寸，穩(wěn)扎穩(wěn)打積累經(jīng)驗(yàn)。從4英寸-6英寸-8英寸產(chǎn)線的迭代，到二極管-MOSFET-IGBT工藝的積累，都可以看到公司在戰(zhàn)略層面思路清晰，技術(shù)路線規(guī)劃明確。
