紫外固態光源具有體積小、能效高、堅固耐用、環保，電壓低、壽命長等突出優點，在消毒殺菌、紫外固化、保密通訊、數據存儲、農業及醫療領域具有廣泛的應用前景，取代汞燈等傳統紫外光源已經是大勢所趨。

 

　　深紫外LED 具有徹底的殺菌消毒功能，能夠通過破壞微生物的DNA 和RNA 阻止其繁殖，從而對水、空氣和物體表面進行殺菌消毒，可以廣泛應用于凈水、空氣凈化、醫療和軍事等領域；由于UVC 屬于日盲紫外波段，在軍事上還可應用于短距離紫外保密通信、紫外預警等。

 

　　近日，國內外研究機構紛紛發布紫外材料及器件技術新突破，成績亮眼。美國康奈爾大學和諾特丹大學的研究人員成功研發出新一代氮化鎵（GaN）與氮化鋁（AlN）異質結構深紫外LED，其波長為219nm，并且內量子效率（IQE）高達40%，幾乎為之前記錄的兩倍。這次的技術亮點在于10 層的量子點復合結構，先生長4nm 的AlN 阻擋層，然后在阻擋層上面采用層島式生長法（layer-plus-island growth）形成GaN 材料的量子點結構，并重復該結構生長10 層。

 

　　此前，加拿大麥吉爾大學的研究人員制造出了一種氮化鋁鎵（AlGaN）激光二極管，其能夠輸出波長239nm 的深紫外光。此外，國內紫外LED 企業宣布成功研制出了1000MW 級別（瓦級）的超大輸出功率275 納米UV-C深紫外LED。

 

　　CSA Research指出，深紫外LED 應用領域因廣闊的市場前景和巨大的附加值逐漸被認為是環保、國防、家電及醫療衛生健康領域新的長點。深紫外LED產品技術門檻相當高，不論在外延、芯片技術、封裝與市場接受程度等都面臨諸多挑戰，但研究報告顯示，以高科技創新為特色的深紫外LED 應用廣泛，將成為全球LED 研究與投資的新熱點。深紫外LED材料與器件技術的突破將推動殺菌消毒和白色家電產業的迅速增長，帶動環境監測、醫學成像、紫外凈化和國防預警等相關領域的技術進步。