事 項
在半導體行業迎來新周期，行業向中國轉移的背景下，中國大陸將迎來晶圓產線的投建大潮，并隨之迎來半導體設備的需求高峰。本文梳理了全球半導體行業的格局，半導體制造全流程中涉及的各類核心設備，以及設備的競爭格局，力圖為您展現清晰的半導體設備投資脈絡。
主要觀點
1. 大陸迎來晶圓廠投建大潮，帶來巨量半導體設備需求
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2016年下半年開始，全球半導體行業迎來新一輪景氣周期，行業銷售同比增長20%，全年大概率突破4000億美元。疊加半導體行業向中國轉移的趨勢，中國大陸將迎來晶圓廠的投建大潮，預計2017-2020年將至少新建26座晶圓廠，帶來龐大的半導體設備需求。
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半導體生產過程復雜，涉及上百種各類設備。因此設備是晶圓產線最大的投資項，占到總投資的70%，目前已開建的17座晶圓廠已帶來超4000億的設備空間，后續產線的落地將進一步提升半導體設備需求，預計18、19年都將是設備的需求高峰年。
2. 國家展現強大支持意志，國產設備迎來發展黃金時期
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目前半導體設備市場主要被美國、日本、荷蘭的廠商所占據，大陸半導體廠商中，國產設備僅占11.5%，具有廣闊的進口替代空間。
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國家對半導體行業展現出了空前的支持力度，《國家集成電路產業發展推進綱要》的發布為行業的發展描繪了明確的目標，集成電路產業大基金的成立則為行業的發展提供了急需的資金支持，我國半導體行業的發展正處于歷史最好的環境。國家的強力支持與廣闊的市場空間將使國產設備迎來發展的黃金時期。
3.國產設備已獲突破，關注各細分設備領域龍頭
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多年的行業發展已經培育出了一批國產半導體設備龍頭，這些龍頭公司在包括刻蝕機、薄膜沉積設備、清洗機等在內的關鍵半導體生產設備上取得了一系列的突破，65-28nm產品已成為中芯國際baseline機臺，參與產品的量產，14nm制程設備也開始進入生產線進行工藝驗證，有望在未來兩年內進入產線。
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建議關注各細分設備領域龍頭：北方華創（前道半導體生產設備龍頭）、長川科技（檢測設備龍頭）、晶盛機電（半導體硅材料生長設備龍頭）、至純科技（高純工藝系統龍頭）。
4.風險提示
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行業發展不及預期，公司業務拓展不及預期。
報告正文：
一、半導體行業格局：垂直分工模式不斷深化，中國已成重要下游市場
（一）半導體產品：集成電路占主要份額
半導體是一類常溫下導電性能介于導體與絕緣體間的物質，常見的半導體材料包括硅、鍺、砷化鎵等，其中硅是目前最主要的半導體材料。由于半導體可以通過摻入雜質來改變其導電性能，并具有熱敏性、光敏性等特性，因此廣泛用于集成電路、光電器件、傳感器等產品制造。
半導體產品包括集成電路（IC））、分立器件（discretes）、光電器件（optoelectronic）、傳感器（sensors/actuators），其中集成電路又包含模擬電路和數字電路，數字電路可在細分為微器件、儲存器和邏輯電路。
集成電路占據半導體產品80%以上市場份額。2016年全球集成電路銷售額為2767億美元，份額占比達到81.6%，光電器件、分立器件、傳感器的份額則分別為9.4%、5.7%、3.2%。近年來由于光電器件市場的快速增長，集成電路所占份額有所下降，但仍占到80%以上。
由于集成電路（IC）占半導體產品份額巨大，最具有代表性，因此本文主要通過集成電路來分析半導體行業，若無特殊說明，半導體行業專指集成電路行業。
（二）半導體不斷向小制程發展，摩爾定律已近物理極限
半導體制程指的是半導體芯片中各個硅晶體管連接導線的寬度，制程越小意味著同樣的面積可以布局更多的半導體元器件，芯片的體積可以變得更小，功耗可以更低，同時相同面積的晶圓上可以生產更多的芯片，單個芯片的成本也會更低。
目前28nm制程芯片產品銷售占比最高：半導體芯片的制程在2003年從微米時代進入了納米時代，并每兩年左右減小30%，目前主流的芯片制程包括90nm、65nm、40nm、28nm、16nm。由于28nm制程芯片制造工藝成熟，且具有高性價比，因此也成為生產最多的芯片，銷售占比近30%。
半導體芯片向更低制程方向發展：隨著16nm及更低制程芯片的生產工藝不斷成熟，生產成本不斷降低，以及下游產業對更小體積、更低功耗、運算能力更強的半導體芯片需求不斷提升，20/16nm制程的芯片銷售占比也在快速提升，未來有望超過28nm芯片。從技術的發展路徑來看，更低制程的芯片是發展的必然方向。目前全球晶圓廠領先者正在積極布局10/7nm工藝，預計2-3年能夠量產，下一代5/3nm工藝預計2022年量產。
摩爾定律近年來不斷放緩，且已逼近其物理極限：到目前為止，半導體行業的發展基本符合摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而隨著半導體制程的不斷縮小，芯片生產的工藝愈加復雜、生產成本不斷提高，摩爾定律放緩趨勢變得明顯，如英特爾的產品更新周期已從一年半延長至三年，產品量產也多次跳票。另外制程的縮小伴隨著愈加明顯的量子隧穿效應和熱效應，使得芯片的性能收到明顯影響，目前主流觀點認為硅基材料的摩爾定律物理極限為5nm，再往下摩爾定律將不再適用。
（三）產業模式：產業分工趨勢明顯，垂直模式不斷深化
1.Foundry、Fabless模式誕生打破IDM模式壟斷
在1987年臺積電成立以前，半導體行業只有一種IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）模式，即從設計，到制造、封裝測試以及投向消費市場一條龍全包的模式，傳統的半導體巨頭如英特爾、三星、德州儀器、瑞薩等都是采用的IDM模式。
IDM模式的優勢在于其具有資源的內部整合優勢，以及具有較高的利潤率。由于IDM模式貫穿半導體生產流程的始終，不存在工藝流程對接問題，新產品從開發到面市的時間較短，且因為覆蓋前端的IC設計和末端的品牌營銷環節，具有較高的利潤率水平。
Foundry模式誕生，行業出現明顯的垂直分工：隨著半導體行業的發展，行業內的分工越來越深化，首先是EDA等工具類業務率先獨立出來，隨后臺積電的成立標志著IC設計和IC制造業務分離的Foundry模式正式誕生，也進一步深化了半導體行業的垂直分工。Foundry模式指的是專門負責半導體芯片的生產制造，并不涉及設計、封測的其他領域，其出現的原因主要是：
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半導體制造業具有明顯的規模經濟效應，擴大規模可以顯著降低單位產品的成本，提高企業競爭力，降低產品價格。
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半導體產業所需的投資極高，設備投資又占據最大的份額，技術的進步和工藝的改進要求半導體生產商不斷更新生產設備，除了少數實力強大的IDM廠商有能力不斷擴張外，其他的廠商根本無力擴張。而且只有Foundry模式才能最大化的利用產能。
與Foundry模式一同誕生的還有Fabless模式，即專業從事IC芯片設計的公司，此后IP商和封測商也不斷獨立壯大，半導體行業的垂直分工模式得到進一步的深化。
2. IDM逐步走向Fab Lite模式，垂直分工模式持續深化
垂直分工模式下的Fabless公司營收增長顯著高于IDM公司：隨著晶圓廠不斷向大晶圓、小制程的方向發展，資本投入也在快速增加，垂直分工模式的優勢和趨勢更加明顯。過去十年中IDM公司的收入規模保持在2000億美元左右，基本沒有增長，而Fabless公司的收入從2006年的411億美元增長到了2016年的861億美元，規模實現了翻倍增長，在全球半導體產業中的收入規模也占到了30%以上。
IDM公司開始向Fab-lite模式轉變，參與行業的垂直分工：IDM公司也意識到了行業的垂直分工模式具有的顯著優勢，開始進行自身模式的轉型。部分IDM公司逐漸演變為Fabless公司，例如AMD剝離了旗下的晶圓廠變成目前的Global Foundry代工廠，自身則成為Fabless公司。其他IDM公司則向Fab-lite模式轉變。其中英特爾、三星開始用旗下的晶圓廠向第三方提供代工服務，不再是純粹的IDM公司，而 Freescale、NXP等則把一部分芯片生產業務外包給其他代工廠，自身將資源和精力集中于優勢產品上。
（四）產業變遷：半導體產業歷經兩次產業轉移
半導體產業發源于美國，此后經歷過兩次大的產業轉移。一次是20世紀70-80年代，日本借助在工業級PC DRAM上的高產品可靠性及美國的技術支持，實現了對美國市場的反超，在DRAM市場市占率近80%，在半導體市場市占率近50%。第二次是20世紀80-90年代，韓國借助PC發展的東風，通過技術引進與消化吸收成為PC端DRAM的主要生產者，而臺灣則通過在晶圓代工、芯片封測領域的垂直分工奠定了半導體代工領域的龍頭地位。
目前歐美日韓臺主導著全球半導體產業格局，半導體產值方面，根據美國半導體協會的數據，2015年美國、韓國、日本、歐洲、臺灣分別占50%、17%、11%、9%、6%的產值份額，而中國大陸僅占4%。
1. 日本半導體產業崛起：家電產業和工業級PC機遇+美國和政府扶持
日本集成電路技術來源于美國。半導體產業在上世紀50年代起源于美國，至70年代硅谷的形成，美國當之無愧的成為了半導體產業興起時代的領跑者。集成電路最初被應用在軍事領域，美國從自身人力成本和扶持日本發展角度，率先將勞動力密集型的裝配環節轉移到日本進行。日本半導體業的發展始于1963年，日本電氣公司（NEC）自美國Fairchild公司取得planar technology的授權。日本政府要求NEC將取得的技術和國內其他廠商分享。由此項技術的引進，日本的NEC、三菱、京都電氣等乃開始進入半導體產業。1966年，NEC、三菱等企業開始生產IC。1968年，TI以構造專利為條件與索尼合資辦廠。
依托巨大的家電市場，日本半導體開始崛起。到了60年代后期，軍事領域需求趨于穩定，以家電為代表的民用半導體市場份額逐漸擴大。日本從裝配起家消化吸收美國半導體技術，作為二戰戰敗國日本無法復制美國軍事半導體崛起路徑，將半導體技術應用在家電領域，實現崛起 。
為工業級PC提供可靠的DRAM，日本反超美國。80年代以后，PC的出現和普及帶動了DRAM的發展。日本在美國扶持的大背景下，政府和產業界共同努力，開發基于DRAM的IDM商業模式，為大型計算機提供高可靠性的DRAM，開始在全球半導體市場處于領先地位，全盛期甚至占據了全球半導體市場的半壁江山，在DRAM市場市占率接近80%，讓半導體行業一直以來的老大美國黯然失色。
日本半導體產業的崛起離不開日本政府的大力支持。同時充分利用各種經濟手段，比如稅收優惠等促進產業發展，以稅收為例，日本有研發支出的租稅優惠和特定研究的優惠，促進產業投資，保障行業均衡發展。
受美國抑制政策和韓國DRAM崛起的沖擊，日本半導體產業開始走向衰落。日本半導體產品的成功主要在于制造上的精益求精使得半導體生產具有高生產效率、高良品率，進而可以低價銷售。然而日本沒有積極應對個人計算機DRAM產品的新需求，使得DRAM市場被韓國搶占。此外，美國對日本半導體產業的政策也從最初的扶持轉向抑制，極大地影響了日本半導體產業地發展。
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1986年，第一次《美日半導體協議》簽訂，對日本產品進行最低價格限制，使日本半導體產品失去了價格優勢；
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1985年，《廣場協議》簽訂，日元大幅升值，僅僅3年的時間，日元就由原來的1美元=240日元變為1美元=120日元, 使得日本半導體產品價格進一步高于競爭對手；
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1991年，第二次《美日半導體協議》簽訂，要求到1995前，日本提高外國產半導體產品在日本國內市場所占的份額，這一比例要求達到20%。
2、韓國半導體產業崛起：消費級PC機遇+政府和財團支持
韓國半導體產業受益PC終端崛起迎來發展春天：80年代PC的普及使得面向PC端的DRAM產品成為下游主要的需求，與工業計算機DRAM產品相比，PC端的DRAM核心競爭力為高性價比，而不是高可靠性。韓國半導體企業敏銳地抓住了這一市場機會，積極調整產品，搶占了市場先機，并在競爭中很快超過了日本半導體企業，在DRAM市場地占有率最高達到了80%。時至今日，韓國三星、海力士依然占據70%以上的DRAM市場份額。
韓國半導體產業的崛起離不開政府和大財團的支持。韓國政府始終支持國內半導體產業的發展，并且將半導體產業上升到國家級項目，推出了租稅獎勵及低融資政策以及一系列的行業振興與共同研發計劃。
DRAM產品周期性強，在行業低谷時期虧損嚴重，需要大量的資金支持才能度過難關。此外，產品更新迭代速度快，需要長期足夠的資金才能實現技術升級。韓國政府和財團在此期間為其提供了大量的資金支持，而日本由于國內泡沫經濟，已不能夠維持在DRAM領域的研發支出，被韓國趕超。
3、臺灣半導體產業崛起：“垂直分工”模式機遇+政府支持
臺灣半導體產業幾乎與韓國同時起步，初期主要進行封測服務。下游需求從家電拓展到PC之后，對芯片的定制化要求提高，催生了一大批專業從事IC設計的公司（Fabless）,此后隨著產業垂直分工趨勢的深化，臺積電于1987年成立，開創了專業從事晶圓加工的Foundry模式。
臺積電成立后，由于承接大量晶圓代工訂單，臺積電具有很快的設備折舊速度，能及時更新生產設備，此外臺積電于大量生產設備制造商都有著密切的合作關系，得以共同研發下一代設備和生產工藝，保持公司在晶圓代工領域的絕對競爭優勢。
臺積電的Foundry模式取得了巨大的成功，2016年臺積電營業收入高達9479億新臺幣，利潤則達到3317億新臺幣，是全球第一大Foundry工廠，市占率超過50%，蘋果、英偉達等全球龍頭都是其大客戶。
受益垂直分工，臺灣實現了半導體全產業鏈的騰飛。臺灣半導體以封測起家，靠晶圓代工走向騰飛，由于臺灣成為了全球最大的晶圓代工地區，吸引和培育了一大批優秀的IC設計和IC封測公司，全產業鏈得以實現共同騰飛。目前臺灣在晶圓代工和IC封測方面位居全球第一，IC設計位居全球第二。
臺灣政府從政策和資金角度保證半導體產業發展。政策方面臺灣政府成立工研院引進技術，發展成熟后轉給企業，并在新竹科學園區建立了集成電路產業化基地，為企業發展提供了良好的技術支撐、服務平臺和產業配套服務環境。資金方面臺灣政府成立了“國發基金”，對重點企業發放政策性投資。此外還對高科技公司實施投資獎勵和稅收優惠。比如，臺灣半導體產業不僅可以享受“免稅五年”，還可以享受“投資抵減”優惠等。
（五）產業格局：產業向中國轉移，中國已成最大下游市場
在半導體行業的第三次景氣周期中，手機等消費電子產品取代PC成為行業增長的主要驅動因素，中國是全球第一大消費電子生產國和消費國，對半導體產品的需求逐年快速提升。在消費電子產品需求的驅動下，半導體產業開始向中國大陸轉移。
如今中國已是全球半導體最大的銷售市場。半導體的銷售市場主要集中在亞太、北美和歐洲地區，其中中國2016年半導體銷售額達到1075億美元，占全球市場份額的31.7%，其中集成電路產業銷售額4335.5億元，占全球份額的23.6%，已成全球最大的銷售市場。在產業向中國轉移的背景下，中國半導體市場在國際市場中的分量和占比將進一步提升。
中國市場供需錯配嚴重，集成電路已成最大進口商品。由于我國半導體產業起步晚，生產水平和生產能力難以滿足下游巨大的需求，半導體產業的供需存在嚴重的供需錯配情況，高度依賴進口。以集成電路為例，2016年我國集成電路產品需求達到1.20萬億元，而國內供給量僅為4335.5萬億元，自給率僅為36%，大量集成電路產品依靠進口。當年集成電路產品進口金額達到2296億美元，已經替代原油成為我國第一大進口商品。
二、半導體設備是產線最大投資項，市場被海外廠商主導
（一）半導體生產涉及設計、制造、封測三大環節，對應眾多生產設備
半導體生產流程涉及數百個，甚至上千個工藝流程，生產過程十分復雜，所需的設備種類、數量也很多。以集成電路為例，其生產流程主要分為IC設計、IC制造（前道）、IC封測（后道）三個環節，設備需求主要集中在IC制造環節，其次是IC封測環節，IC設計環節涉及的設備較少。
我們對IC芯片制造的核心工藝流程和核心設備進行了梳理，得到如下全景圖，我們將基于此圖詳解IC芯片的關鍵生產流程和核心設備。
1.IC設計：根據產品要求設計電路圖，完成光罩制作
IC芯片生產的第一步是根據下游客戶的需求對產品進行設計，首先是制定IC芯片的規格，保證芯片產品能與相關的設備連線。然后是根據芯片的設計目的進行邏輯設計，再通過相關的EDA軟件，將邏輯設計圖（圖4）轉化為電路設計圖（圖5），再通過電路布局與繞線處理，得到復雜的芯片電路圖（圖6）。IC芯片內部分為數十層，每種顏色代表一層電路圖，對應一張光罩。
設計完成后，IC設計公司會根據設計制作出若干張光罩，光罩將是晶圓制造過程中的重要物件。
2.IC制造：將電路圖轉移至硅片上，光刻、刻蝕、薄膜沉積是關鍵步驟
IC制造的第一部是制造高純度的硅晶圓，硅晶圓是制造IC芯片的基礎材料。得到高純硅的第一步是通過碳與二氧化硅進行氧化還原反應得到冶金級純化的硅，純度約為98%。第二步是通過西門子制程進行硅的純化，得到電子級純度的多晶硅，純度可以達到99.999999999%（9個9）。隨后是拉晶的步驟，將得到的高純多晶硅融化后得到液態硅，再以單晶硅的硅種與液體表面接觸，一邊旋轉一邊向上拉起，凝固后即可獲得排列整齊的單晶硅柱。將硅柱進行切割、打磨即可獲得硅晶圓。
單晶爐是拉晶工藝所需的設備，通過在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，直拉法生長出單晶硅柱。目前我國已具備自主生產單晶爐的技術和能力，國內主要供應商包括晶盛機電、北方華創、京運通等。
12英寸晶圓占主流，18英寸晶圓2020年后有望量產。晶圓的尺寸直接影響單個芯片（晶片）的生產成本，尺寸越大單個晶片的成本越低。硅片的尺寸基本上每十年上一個臺階，1980年代、1990年代、2000年年代分別是4英寸、6英寸、8英寸晶圓占據主流。如今12英寸（300mm）晶圓已經成為新的主流，占比超過70%。新一代的18英寸晶圓目前也已實現小規模生產，預計2020年后可以實現量產。
IC制造的第二步是晶圓加工，工藝流程和涉及的設備眾多，其中主要的步驟包括光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積。
光刻：光刻環節實現的是將電路設計圖轉移至硅片上，是IC芯片制造最關鍵的步驟。首先在薄膜表面均勻覆蓋一層光刻膠，再用紫外線等光線通過光罩照射到硅片表面，在光線照射下，沒有光罩掩蓋部分的光刻膠會發生反應被破壞，再通過特殊材料洗去被破壞的光刻膠，電路設計就被成功轉移到了硅片上。
光刻環節所需的設備光刻機是晶圓加工過程中最核心的設備，價值量巨大，當前最為先進EUV光刻機單臺價值在1億美元以上。目前高端光刻機被荷蘭公司ASML所壟斷，其占到光刻機市場的份額近80%。除ASML外，尼康和佳能可以提供中低端的光刻機設備，國內上海微電子的光刻機產品可以實現90nm制程，和ASML相比技術上仍有巨大差距。
刻蝕：光刻之后是刻蝕環節，通過化學藥劑或是等離子等微粒將沒有光刻膠保護的部分刻蝕掉，再將剩余的光刻膠清洗掉，電路圖案就制作完成。
刻蝕機是刻蝕環節所需的設備，可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩種。干法刻蝕是通過等離子體等粒子撞擊濺射實現刻蝕，濕法刻蝕則是通過化學藥劑的反應實現刻蝕。美國的泛林集團、應用材料，日本的東京電子是全球主要的刻蝕設備提供商，國內則有北方華創、中微半導體、上海中微提供刻蝕設備，其中部分設備已經達到國際先進水平。
離子注入：離子注入是在真空中、低溫下，把雜質離子經加速后直接射入半導體中，與材料中的原子或分子將發生一系列物理的和化學的相互作用，進而實現材料表面成分、結構和性能的變化。通過離子注入，可以使半導體芯片的不同部位具有不同的電性能。
離子注入機是實現離子注入環節的設備，美國應用材料公司是離子注入機領域龍頭，市場份額達到70%，國內中電科、中電48所等已有離子注入機產品供應。
薄膜沉積：半導體芯片內部呈現層次結構，每一層都需經過一次光刻、刻蝕、離子注入來形成電路。薄膜沉積實現的就是在芯片表面沉積薄膜以供再次光刻使用，以及沉積隔離層、保護層，和沉積銅、鋁等金屬，實現各半導體器件間的電路互通。薄膜沉積可以分為化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD），CVD通過氣體在芯片表面產生化學反應形成薄膜，PVD則通過實用等離子體轟擊靶材，使靶材材料在硅片表面沉積來形成薄膜。
薄膜沉積設備包括PVD設備和CVD設備，美國的應用材料和泛林集團都是國際上主要的薄膜沉積設備提供商。北方華創是國內領先的薄膜沉積設備提供商，產品已經進入中芯國際28nm生產線，14nm設備則在工藝驗證過程中。
3.封裝測試：產品的包裝與質量保障
在完成前道工藝加工后，即獲得載有晶粒的整塊晶圓片。這時，工藝的流程開始進入后道工藝。后道工藝主要為封裝、測試環節。由于一片IC芯片體積小而薄，且易被破壞，需要安裝較大的尺寸外殼施加保護，并便于人工安裝在集成電路板上，因此必須進行封裝，封裝的步驟主要包括晶片切割、黏晶、焊線、封膠、剪切成形、印字、檢驗等。
封裝工序完成后，芯片還需通過設計目的和工作性能的測試，測試項目包括芯片目檢、芯片粘貼測試、壓焊強度測試、穩定性烘焙、溫度循環測試、離心測試、滲漏測試、高低溫電測試、高溫老化測試、及老化后測試等一系列測試。通過測試的產品將在包裝后交付給下游客戶。
封裝測試環節設備包括減薄機、劃片機、探針臺、引線鍵合機、測試機等。國外生產商包括KLA-Tencor、應用材料、日本 Hitachi，國內廠商包括長川科技、格蘭達等。
（二）設備是半導體產線最大投資項
隨著半導體制程的縮小以及集成度的提高，晶圓生產線的建設成本迅速提高。一條90nm制程芯片的晶圓生產線建設成本為20億美元，到20nm時成本達到67億美元，翻了三番之多。未來到5nm制程時，一條生產線的建設成本將達到160億美元。
半導體設備是半導體產線投資的主要投入項。半導體設備不僅種類繁多，且因為需要在極小的制程下實現高精度的操作，具有非常高的技術要求，也導致設備的價格非常昂貴，設備在生產線的資本支出占比也逐漸提高。在90nm制程中設備支出占比為70%，到了20nm制程占比達到85%，從14億美元提高到57億美元，提高了4倍。
IC制造設備是價值占比最大的半導體設備，占到設備投資比例的80%。2015年全球半導體設備支出387億美元，其中晶圓制造設備315億美元，占比81.4%，封裝設備49億美元，占比12.7%，測試設備23億美元，占比5.9%。過去十年間晶圓制造設備的占比也在80%左右小幅浮動。
IC制造設備的高價值占比主要體現在光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設備三類設備上，三類設備價值量合計可達設備總價值的50%-70%。一條產線光刻機根據產能只需要幾臺光刻機，但由于光刻機價值量巨大，仍在IC制造設備中占據最大價值量。刻蝕機和薄膜沉積設備單價值量在200-300萬美元左右，但數量需求較大，因此價值占比也居前。
根據IC insights的預計，隨著半導體制程的逐漸縮小，對于光刻機設備的要求將大大提高，目前10nm及以下制程的半導體產品生產必須使用ASML的EUV光刻機，單價超過1億美元，因此未來光刻機在半導體制造設備中的成本占比講進一步提升。
（三）設備市場被國外廠商主導
半導體設備行業呈現高集中度格局：半導體設備制造行業具有很高的技術壁壘、需要大量資金和人力投入，是典型的資本密集、技術密集型行業，“馬太效應”顯著。如今半導體設備制造行業已經呈現出高市場集中度的格局，2016年全球半導體設備銷售額為412億美元，其中前十大設備商占據71.4%的市場份額，前五大設備上占據61.4%的市場份額。前十大公司中除ASML來自荷蘭以外，其余九家分屬美日兩國。
從公司產品結構來看，前十大設備公司業務都以IC制造設備為主，且均為某一細分產品領域寡頭。ASML占據了超過70%的光刻機市場，訂單已經排到了2018年；美國應用材料在離子注入機上占據70%市場份額，在PVD設備上占據85%市場份額；在涂膠顯影機市場，東京電子占據90%的市場份額。
從各類產品角度看，各產品領域均呈現出非常高的行業集中度。光刻設備、PVD、刻蝕設備、氧化設備及擴散爐的Top3參與者市占率均超過90%，集中度較低的CVD設備也有70%的行業前三集中度，且位居各領域前三的公司基本上都屬于前十大設備公司之一。
中國大陸半導體設備國產化率僅為11.5%,國產設備占全球份額僅2%。2016年全球半導體設備銷售額412億美元，中國大陸市場半導體設備銷售額為64.6億美元，占比15.7%，是僅次于臺灣和韓國的第三大市場。然而國產半導體設備與國外產品相比在技術水平上仍有巨大差距，品牌知名度也尚缺，缺乏市場競爭能力，在市場中所占的份額很小。我國半導體設備公司中2016年銷售額最大的僅為9.08億元，與國外龍頭企業相比有巨大差距。另根據中國電子專用設備工業協會統計，2016年35家國內主要半導體設備制造商完成半導體設備銷售收入57.33億元，出口7.84億元，以1美元=6.65元人民幣的匯率計算，2016年中國大陸半導體國產化設備銷售額為7.44億美元，國產化率僅為11.5%，呈略微下降趨勢；而國產設備在全球市場所占份額僅為2.1%，相較幾年前有小幅提升。
三、中國半導體設備行業迎來發展黃金機會
（一）半導體行業迎來新一輪景氣周期，設備需求重回高增長區間
自半導體誕生以來，半導體行業經歷了三輪完整的發展周期：
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第一輪周期發生在20世紀70年代-90年代，彼時半導體已經具有大規模應用的基礎，在工業級計算機、PC的先后推動下，半導體產業銷售額呈現出指數級別的增長，并于1995年突破了1000億美元大關，這輪周期中電子、計算機等系統中半導體產品價值占比超過了20%。
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第二輪周期從2001年延續至2008年，主要的下游驅動因素是筆記本電腦、2G、3G無線通信對半導體產品的需求，這一階段全球半導體銷售額從1472億美元增長到了2553億美元，增長了73.4%。
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第三輪周期從2010年開始，到2014年結束，這一輪周期中半導體的銷售額從2953億美元增長到了 3344億美元，首次突破了3000億美元大關。這輪周期的主要下游需求推動來自于以智能手機為代表的移動互聯網產品。
2014年后，智能手機出貨量趨于平穩，全球半導體產業銷售額也進入了穩定期，2015、2016年銷售額分別為3373億美元、3347億美元，同比分別增長1.1%、-0.8%。
2017年半導體銷售額同比增長超20%，全年銷售額將超4000億美元，迎來新一輪景氣周期。從2016年8月開始，全球半導體銷售額開始重回增長軌道，月度銷售額同比增速開始由負轉正。從2016年10月到2017年10月，半導體銷售額已連續13個月超過300億美元，已經超過歷史上的最好水平，不斷創下歷史新高。2017年1-10月全球半導體銷售總額已經達到3294億美元，同比增長21%，且月度同比增速呈現上升趨勢，我們預計9-12月的銷售增速有望繼續提升。2016年全球半導體銷售額為全年半導體銷售額為3389億美元，今年突破4000億美元基本已成定局。
行業景氣向好帶動半導體設備需求重回高增長區間。半導體銷售額與設備銷售額存在高度同步性，此次半導體行業的復蘇伴隨著半導體設備需求的提升。從2016年10月開始，北美半導體設備商出貨額開始進入高增長區間，2017年1-10月總出貨額達到211億美元，同比增長41%，1-6月同比增長更是達到150%，并且連續8個月銷售額均超過20億美元，為歷史上的最高水平。
（二）政策支持力度空前，半導體行業迎來發展良機
國家不斷出臺相關政策，半導體產業支持力度空前。半導體產業，尤其是集成電路產業，是信息技術產業的核心，是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業，一直受到國家的關注和重點扶持。從21世紀初至今，國家頒布了一系列的政策來支持和引導半導體產業的發展，支持力度不斷加大，引導路徑逐漸清晰。
（1）4號文延續10年行業支持政策，展現國家扶持決心。2000年6月，國務院發布了《關于印發鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策的通知》（18號文），在審批程序、稅收支持、進出口、投融資、人才培養等各方面給予了集成電路行業重點扶持。該通知在2011年到期，隨即國務院發布了《關于印發進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策的通知》（4號文）延續了各扶持措施，并修正了原 18 號文中因外力影響導致的 2005 年后集成電路行業優惠力度減小。4號文對18號文的延續說明國家對于集成電路產業的支持的一貫的，展現了國家支持的決心。
（2）02專項扶持國內半導體設備生產領軍者。2008年，科技部和信產部啟動了“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”項目（02專項），以專項的形式組織了一批國內半導體設備公司進行了一系列重點工藝和技術的攻關，包括45-22納米關鍵制造裝備攻關，開發 32-22 納米 CMOS 工藝、90-65 納米特色工藝，開展 20-14 納米前瞻性研究等。通過02專項的扶持國內誕生了北方華創、中微半導體、上海微電子等一批半導體設備生產領軍者，并形成了 65-45 納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產業鏈。
（3）《綱要》發布，帶來最大支持力度和最清晰發展路徑。2014年6 月，國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要》，為集成電路行業在重要戰略機遇期和攻堅期的發展描繪了明確的發展目標。《綱要》提出，到2020年集成電路行業銷售收入要實現20%的復合增長率；IC設計和IC封測領域技術均達到國際先進水平；16/14nm制程工藝實現規模量產；關鍵裝備和材料進入國際采購體系。并在資金、稅收、人才等各領域提供支持。《綱要》是目前國家發布的最詳細、力度最大的支持政策，再次展現了國家發展半導體產業的意志。
（三）大基金展現國家意志，巨額資金支持行業發展
大基金籌資超千億支持集成電路產業發展。《國家集成電路產業發展推進綱要》提出建立國家產業投資基金，吸引大型企業、金融機構以及社會資金，重點支持集成電路等產業發展。2014年9月，國家集成電路產業投資基金（大基金）正式成立，計劃籌資1000億元，實際籌資1387億元。大基金的投資總期限將達十五年，投資期（2014-2019）、回收期（2019-2024）、展期（2024-2029）各五年。
不同于國家直接對半導體企業進行補貼的模式，大基金通過資金入股的方式對企業進行資金支持，雖不直接參與公司運作，但仍起到監督和監管的作用，促使企業合理使用投資金額，將資金用于技術的研發和創新，產品的研發和推廣上，相對于傳統的補貼模式，大基金模式勢必使資金具有更高的使用效率。
截止2017年9月底，大基金已累計決策投資55個項目，涉及40家集成電路企業，共承諾出資1003億元，實際出資653億元。大基金的投資涵蓋集成電路產業的各個環節，其中IC制造是投資額最高、最為集中的環節，占到承諾投資的65%。IC設計、IC封測、裝備材料領域則分別占17%、10%、8%。雖然設備企業占投資比例較少，但是行業內領先的設備企業，包括北方華創、長川科技、中微半導體、沈陽拓荊等都得到了大基金的投資。
大基金的成立同時撬動了一批地方產業基金，截止到2017年上半年，全國成立了二十余支集成電路地方產業基金，主要用于支持地方集成電路企業的發展，培育一批符合產業發展方向的標桿企業。據不完全統計，集成電路地方產業基金募資總規模已經達到3600億，加上大基金，全國集成電路產業基金規模達到5000億。
目前第二期的大基金正在籌劃中，預計籌資額將達到1500-2000億元，加上對地方產業基金的撬動，全國集成電路產業基金總規模有望超過1億美元。第二期的大基金預計會將投資重點轉移至IC設計領域，并加大IC封測、裝備材料領域的投資力度。
（四）中國將迎來晶圓產線建設高峰期，帶來巨大設備需求空間
中國大陸將迎來晶圓產線建設高峰期。根據SEMI(國際半導體產業協會)的預測，2017-2020年間，全球將有62座新建晶圓廠投入營運。這62座晶圓廠中，只有7座是研發用的晶圓廠，其他晶圓廠都是量產型廠房。以地理區來看，中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達42%。美國則有10座，臺灣為9座。按照晶圓廠生產的產品型態來看，32%的新增晶圓產能將用做晶圓代工、21%為存儲。
已開工產線帶來超4000億元設備需求，2018、2019是需求高峰年。目前已統計到有17座晶圓廠已經開工建設，晶圓廠的建設周期達到2-3年，其中廠房封頂需要約1.5年時間，生產設備在廠房封頂后開始進入。根據已開工晶圓廠的建設周期和投資額，我們預計這17座晶圓廠將在2017-2019年間帶來4121億元的半導體設備投資需求，需求主要集中在2018年，達到2274億，2019年則達到1059億。隨著其余規劃中晶圓廠的陸續投建，2018-2020年間的半導體設備需求將進一步提升，我們預計半導體設備的需求高峰將集中在2018、2019年。
各類設備中，光刻機所占份額最大，預計達30%，對應1264億的市場空間。刻蝕設備、薄膜沉積設備占比約20%，均對應843億空間，以上三類設備占到總設備需求的70%。檢測設備、清洗設備、其他設備各自對應421、337、506億空間。
（五）中國浮現了一批優秀的國產設備企業，產品已實現批量應用
02專項培育了一批國產半導體設備領軍者。02專項組織了一批國內半導體設備公司進行了一系列重點工藝和技術的攻關，攻關領域涵蓋光刻機、PVD、CVD、離子注入機、清洗機、檢測設備等各類半導體生產設備，并以此培育了一批具有先進生產技術和自主知識產權的半導體設備企業，包括北方華創、中電科、沈陽拓荊、上海微電子、中微半導體等。
國產設備已在8、12英寸產線實現批量應用。在02專項、產業大基金的支持和培育下，我國半導體設備生產企業已經取得了一系列技術和產品的突破，多項專項項目結項，多種類、多型號半導體生產設備研發成功，且包括刻蝕機、薄膜沉積設備、清洗機等在內的關鍵半導體生產設備已在65-28nm制程晶圓產線上實現了批量應用，成為中芯國際等晶圓生產廠商的baseline機臺，說明國產半導體設備已有進入主流晶圓生產線供貨體系的能力。此外多項14nm制程設備也開始進入生產線進行工藝驗證，有望在未來兩年內進入產線。
對于大陸半導體設備廠商來說，除光刻機目前只能滿足90nm制程芯片生產，難以進入新建產線設備需求外，其他設備基本都已滿足晶圓產線的量產需求。由于地理上的優勢，國產設備商在與晶圓生產商在合作進行設備的開發和驗證上有巨大的便利性，且國產設備在性價比和售后服務上有更強的競爭優勢，疊加國家對于半導體設備國產化的政策指引，國產半導體設備生產商有望借助中國大陸晶圓產線的密集投建實現國產設備滲透率的快速提升，同時迎來自身業績的高速爆發期。
四、砥礪前行中的國產設備公司
（一）北方華創：國內半導體前道生產設備龍頭
北方華創前身七星電子，2001年9月由北京電控整合原國營700廠、706廠、707廠、718廠、797廠、798廠的優質資產和業務成立，主營清洗、擴散設備等半導體設備以及精密電子元器件，2010年在深圳交易所上市。
整合北方微電子，產品體系國內最豐富。2016年，公司通過非公開發行股份完成了與北方微電子的戰略重組，并引入了大基金成為公司股東。此后公司改名為北方華創。重組后公司的半導體設備產品系列得到極大豐富，新增了刻蝕設備、物理氣相沉積設備（PVD）、化學氣相沉積設備（CVD），基本涵蓋了除光刻機外的各類前道半導體生產設備，是國內規模最大、產品體系最豐富、涉及領域最廣的高端半導體工藝設備供應商。
此外公司還將業務拓展至光伏單晶爐等真空設備，以及涂布機等鋰電設備。四大業務中，半導體設備以及電子元器件仍然是最主要的業務，占到2017上半年營收的56%、33%。
公司產品已實現批量應用，技術不斷突破發展潛力巨大。公司承接了12個國家02重大科技專項子課題，已先后完成了12寸90-28nm刻蝕機、PVD、立式氧化爐、清洗機、LPCVD等設備的研發工作，并實現了產業化，02專項在研課題16/14nm工藝制程設備也在加速研發中。目前公司的14nm等離子硅刻蝕機已交付客戶，28nm單片銅清洗機已進入中芯國際生產線，退火設備也進入了中芯國際、華力微， 28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD設備已率先進入國際供應鏈體系，12英寸清洗機累計流片量已突破60萬片大關，化學氣相沉積(CVD)進入14nm工藝驗證階段。在先進封裝領域，公司刻蝕機和PVD設備已在全球主要企業中得到廣泛應用，其中PVD機臺已成為全球排名前三的CIS封裝企業的首選機臺。公司半導體領域下游客戶包括中芯國際、武漢新芯、華力微電子、華進半導體等國內主要晶圓生產商，業績有望深度受益半導體設備國產化，迎來高速發展。
公司每年投入巨額的研發費用來實現技術和工藝上的不斷追趕和突破，2016年共投入研發費用7.6億元，占到營業收入的46.7%。高額的研發投入是公司產品不斷獲得突破以及客戶認可的關鍵。
（二）長川科技：集成電路檢測設備領軍者
檢測是半導體芯片生產的重要環節，在IC設計、晶圓制造和封裝測試三大環節中均需要對產品進行檢測，以保證最終產品的質量和性能。檢測設備主要包括測試機、分選機和探針臺。測試機的作用是將芯片的引腳與測試機的功能模塊連接起來，并通過施加輸入信號和檢測輸出信號，判斷芯片功能和性能指標的有效性。分選機和探針臺是將芯片的引腳與測試機的功能模塊連接起來并實現批量自動化測試的專用設備。在設計驗證和成品測試環節，測試機需要和分選機配合使用；在晶圓檢測環節，測試機需要和探針臺配合使用。
公司成立于2008年，自成立以來一致專注于集成電路測試設備的設計、研發、制造和銷售，是國內稀缺的可以生產集成電路測試設備的公司。目前公司產品涵蓋測試設備中的測試機（包括大功率測試機、模擬/數模混合測試機等），分選機（包括重力下滑式分選機、平移式分選機等），測試機和分選機兩種產品占到公司營業收入的95%以上。
自上市以來，公司業績快速增長，2016年實現營業收入1.24億元，五年復合增長率達到58%。
我國集成電路封測行業快速成長。在《綱要》和大基金的推動下，我國加快了集成電路產業的布局，由于集成電路的封測環節技術壁壘較低，屬于勞動密集型行業，因此近年來獲得了長足的發展。2016年我國集成電路封測市場規模達到1564億元，同比增長13%。在國內密集投建晶圓廠的背景下，集成電路封測市場規模有望保持每年10%以上的增長率。
大陸集成電路封測公司已占據重要市場地位，份額達23%。通過自主研發和并購，中國大陸的集成電路封測公司也在快速成長，并在國際市場上占據了重要的地位。全球前十的封測廠商中，大陸公司占據三席，分別是長電科技、華天科技、通富微電，三者合計占到2016全球集成電路封測市場份額的22.7%。其中長電科技在“蛇吞象”收購星科金朋后一舉成為全球第三大封測廠，市占率達到15%。
公司與國內封測龍頭均有密切的業務合作，長電科技、華天科技、通富微電均是公司前五大客戶之一，三者占到公司銷售收入的60%-70%。與國內封測龍頭的密切業務合作為公司業績的穩定增長提供了保障，但也存在客戶集中度較高的風險。
（三）晶盛機電：國內稀缺的晶體硅生長設備龍頭
晶盛機電前身是上虞晶盛機電工程有限公司，成立于2006年，2010年改制為股份有限公司，并于2012年5月登陸創業板上市。通過并購與自身的外延發展，公司實現了多元化的業務布局，覆蓋了光伏、半導體、LED、藍寶石四個領域。
晶體硅生長設備仍是公司最主要業務。公司的晶體硅生長設備可應用于光伏、半導體等下游領域，一直是公司的最主要業務，公司業務多元化之后晶體硅生長設備的營收占比有所下滑，但仍占到70%以上。2017年由于光伏行業對于晶體硅生長設備的需求出現爆發式增長，晶體硅生長設備的營收占比達到了82%。
受益光伏行業回暖，公司業績顯著回升。2006-2011年間光伏行業粗放式、野蠻式的發展致使行業整體呈現嚴重的產能過剩、價格戰激烈的格局，加上全球經濟衰退，美國“雙反”、歐洲“反傾銷”等因素，我國光伏行業迎來了寒冬，公司業績受行業影響也進入谷底。2015年起，受益于領跑者計劃、分布式光伏發展、光伏扶貧等因素的推動，國內光伏行業出現了明顯的復蘇。各大光伏廠商紛紛擴產，公司業績隨之顯著回升。2017年前三季度公司實現營業收入12.57億元，同比增長87%，實現歸母凈利潤2.53億元，同比增長95%，前三季度業績已經超過2016全年。其中2017Q3單季度實現營業收入4.49億元、歸母凈利潤1.11億元，是單季度業績的歷史最好水平。
公司是國內稀缺的半導體硅生長設備龍頭，已突破12寸硅片生產技術。硅片是半導體行業最重要的材料之一，目前半導體硅片的市場被海外公司壟斷，前五大硅片供應商占據92%的市場份額，國內半導體硅片存在巨大的供需缺口，倒逼半導體硅片國產化。單晶爐是半導體硅片生產的重要設備，公司是國內稀缺的半導體硅生長設備提供商，公司承擔了02專項中的“300mm硅單晶直拉生長設備的開發”、“8英寸區熔硅單晶爐國產設備研制”兩大項目，均已通過專家組驗收。8英寸區融單晶爐已經實現了產業化，12寸設備也已滿足了工業化量產的需求。
國產硅片項目陸續投建，帶來巨大單晶爐設備需求。目前已有統計的國內硅片商規劃產能達到每月330萬片，以單臺單晶爐每月產出8000-10000片硅片計算，330萬片的月產能將帶來330-410臺的單晶爐需求，未來隨著其他國產硅片項目的持續上馬和落地，對單晶爐的需求仍將有進一步的提升，預計可達600-1000臺。
公司產品已經批量供貨，獲國際一線廠商認可。公司半導體硅生長設備產品已經成功為有研半導體、環歐半導體、金瑞泓等國內知名半導體硅片生產商供貨，累計銷售了幾十臺設備，并建立了穩定的合作關系。2017年7月公司獲得臺灣合晶科技子公司900萬美元的設備訂單，標志公司產品質量已經獲得國際一線廠商的認同。
強強聯合，公司切入國產大硅片生產領域。2017年10月，公司發布公告，與無錫市人民政府、中環股份簽署了《戰略合作協議》，將共同在宜興市開展建設集成電路用大硅片生產與制造項目。11月公司與中環股份、中環香港、無錫產業發展集團共同出資50億元成立中環領先半導體公司，共同進行大硅片的研發和生產，公司出資5億元占10%股權。本次的合作對象中，中環股份是國內最大、全球第三大的區熔硅片供應商，在半導體領域有多年的技術積累，無錫市則是我國集成電路產業發源地之一。本次合作集合了三家的各自優勢，將在技術、市場、稅收、人才等領域具有獨特的競爭優勢。公司也借此舉切入國產大硅片生產領域，并加強在設備領域的市場開拓和競爭優勢。
（四）至純科技：高純工藝系統龍頭
公司主要為電子、生物醫藥及食品飲料等行業的先進制造業企業提供高純工藝系統的整體解決方案，以上行業均對生產過程中原材料的純凈程度有極高的要求，極少量的不純物都會影響產品的性能，甚至導致產品的報廢。公司在高純工藝系統領域的長期積累使得公司的產品已經可以將不純物含量控制到ppb（十億分之一）及一下，可以滿足集成電路等對不純物含量要求最為嚴苛的行業。
公司在創立之初客戶主要集中在醫藥行業，2008年公司將業務重心轉致光伏領域，并前瞻布局了半導體行業，隨著國內半導體行業的快速發展，半導體領域已經成為公司主要的下游客戶領域，占比超過50%，公司業績也隨之出現了高速增長，2017上半年公司實現營業收入1.58億，同比增長46%，實現扣非后凈利潤1.96億，同比增長47%。
作為國內高純工藝系統行業的先行者，公司在國內同行業企業中具有較強的競爭優勢，公司客戶均為行業領軍企業，如電子行業的中國電子科技集團48所，光伏的晶澳太陽能、英利能源，LED的上海和輝，半導體領域的上海新進芯微電子有限公司、海力士半導體（重慶）等。在優質客戶群獲得的廣泛認同，使公司擁有較強銷售定價能力。
（五）中微半導體：介質刻蝕設備國內王者
中微半導體設備（上海）有限公司是一家致力于微觀制程設備的研發、生產、銷售及服務一體化的高科技創業公司；
刻蝕機技術達到全球先進水平，產品已進入國際大廠生產線。中微半導體介質刻蝕設備技術處于世界領先地位，高端介質刻蝕設備市占率全球第三，國內份額超過50%，刻蝕機在線臺數年復合增長率達到48.44%。目前中微半導體產品具備45-14nm量產能力，7納米制程設備已進入臺積電供應鏈。中微半導體即將進入下一世代5納米、甚至3.5納米工藝。客戶包括Intel、三星、臺積電、聯電、海力士、意法半導體和博士半導體等國際大廠。公司已將核心業務由半導體前工序的高端刻蝕，拓展到包括 3D 的先進封裝， MEMS在內硅通孔刻蝕。
入股沈陽拓荊，布局PECVD。沈陽拓荊致力于研究和生產世界領先的極大規模集成電路行業專用薄膜設備，兩次承擔國家科技重大專項。公司是國內唯一能夠生產適用于大規模集成電路生產線的PECVD設備供應商，自主研發的12英寸PECVD設備，擁有100%知識產權。其用于90-40納米集成電路的生產，具備14-10納米技術的延伸性，性能指標，達到世界領先水平。設備已在近10家國內及臺灣企業的大估摸集成電路及先進封裝生產線實施量產，累積超過50萬片。
產品市場空間巨大，未來成長可期。半導體前段刻蝕和薄膜設備，每年將有超過80億美元的市場，先進封裝MEMS刻蝕，將有20億美元的市場，公司產品市場空間較大。中微2017年銷售將達11億元人民幣，中微目標2020年實現20億元銷售，力爭2050年達到50億元躋身國際前五大半導體設備供應商。
（六）上海微電子：國產光刻機的希望
光刻機技術受到國外封鎖。光刻機是所有半導體設備中技術含量最高，涉及系統集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進技術，是整個半導體制造環節最為關鍵的設備。正是由于光刻機的技術含量如此之高，歐美國家一直對我國采取禁運措施，最先進的幾代光刻機對華禁售。
光刻機是半導體設備中最大的一個行業，2015年市場總規模約100億美元（設備總規模367億美元），光刻機分別應用在晶圓制造的前道以及先進封裝環節。目前我國光刻機處于技術追趕階段，尤其是前道光刻機，最先進的設備由上海微電子制造，目前量產能力可達到90nm，國家“02“專項的65nm光刻機研制成功，目前正在進行整機考核，光刻機技術在90納米是一個技術臺階，邁過90納米很容易做到65納米，對65納米的進行升級就可以做到45納米。02專項提出光刻機到2020年出22納米的光科技設備。
深耕光科技領域，先進封裝光刻機國內市場占有率80%。上海微電子裝備（集團）股份有限公司（簡稱SMEE）主要致力于半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、制造、銷售及技術服務。公司設備廣泛應用于集成電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領域。；
SMEE致力于高端投影光刻機的研發和量產，目前已有四大系列光刻機產品，截至目前公司光刻機領域直接持有專利近1500項，產品技術逼近世界先進水平，躋身世界前四行列，正在突破國際廠商的壟斷格局。公司前道光刻機最先進量產制程達到90nm，先進封裝光刻機已經實現出口，國內市占率為80%，全球市場份額為40%。2015年先進封裝光刻機市場規模為1.5億美元，未來隨著先進封裝光刻技術的大量應用，市場空間將進一步擴大，公司作為該領域龍頭企業將率先受益。
五.風險提示
行業發展不及預期，公司業務拓展不及預期。
