法國IEMN的研究團隊在德國Allos提供的Si基GaN外延片上制作器件并進行了測量，測量結果顯示，ALLOS 新型Si基GaN外延片擊穿電壓超過 1400 V。
法國IEMN的研究團隊在德國Allos提供的2種不同的Si基GaN外延片上制作器件并進行了測量。一種外延片是Allos最新設計的用于1200V應用的樣品，在該外延片上，IMEN獲得了超過1400V的垂直擊穿電壓和1600V的水平擊穿電壓。另一種外延片是Allos的用于600V應用的成熟產品，測試結果顯示，水平和垂直擊穿電壓都超過了1200V。
圖1、600V和1200V外延片的垂直擊穿電壓
圖2、600V和1200V外延片的水平擊穿電壓
ALLOS的上述2種外延片產品沒有使用C摻雜。C摻雜是Si基GaN外延片廠商常用的方法，該方法的缺點是對晶體質量和動態開關特性有負面影響。
最新的用于1200V的外延片是來自ALLOS正在進行的內部研發項目，其尤其特性來源于ALLOS獨有的應變控制和高質量晶體結構，輔以其他措施進一步抑制漏電流，提高擊穿電壓。這是在沒有犧牲諸如晶體質量和外延片彎曲度等其他基本性能的前提下實現的。外延生長是在標準的Aixtron G5 MOCVD的反應腔中進行的。
“現有的結果表明，我們已經達到了橫向 1.7MV/cm 和縱向 2 MV/cm 的水平。我們還有一項旨在實現外延片級別進一步改進的計劃。現在是時候與 1200 V 產品系列的工業合作伙伴建立強大的合作伙伴關系了。” ALLOS 首席執行官 BurkhardSlischka 說道。“由于我們是一家純粹的外延片技術提供商，沒有自己的器件制造業務，因而我們正在尋求與經驗豐富的電力電子企業密切合作，以利用其基于硅基氮化鎵的 1200 V 應用帶來的機會。憑借我們的技術，硅基氮化鎵具備與碳化硅性能相媲美的潛力，而成本僅為晶片成本的一小部分。”
ALLOS公司簡介
ALLOS 是一家知識產權授權和技術工程公司，致力于幫助全球半導體行業的客戶掌握Si基GaN技術并發揮其優勢。ALLOS 正在提供其技術訣竅和專利的許可服務，并將技術轉讓給客戶的 MOCVD 反應器。此外，ALLOS 正在為客戶提供特定的解決方案以及用于應對下一代硅基氮化鎵開發挑戰的咨詢服務。
