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“高效半導體照明關鍵材料技術研發(fā)(三期)” 取得突破

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2018-03-20 來源:科技部瀏覽次數(shù):733
   半導體照明具有技術發(fā)展迅速、應用領域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力巨大等特點,被各國公認為最有發(fā)展前景的高新節(jié)能技術之一。隨著我國產(chǎn)業(yè)結構調(diào)整、發(fā)展方式轉變經(jīng)常加快,半導體照明產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于轉變發(fā)展方式及培育戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關鍵時期。近日,科技部高新司在北京組織專家對“十二五”國家863計劃新材料技術領域“高效半導體照明關鍵材料技術研發(fā)”重大項目(三期)進行了驗收。
 
  該項目以打造產(chǎn)業(yè)核心競爭力為目標,以提高自主創(chuàng)新能力為關鍵,以改善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境為手段,開展了LED外延結構設計、芯片結構設計、器件封裝、低成本LED驅(qū)動芯片及模塊開發(fā)等大電流驅(qū)動薄膜半導體照明技術研究;在一期和二期項目完成半導體照明外延芯片與器件封裝關鍵技術布局基礎上,三期項目重點開展“十城萬盞”半導體照明應用技術研究,重點開發(fā)了具有高光效、低成本、長壽命的LED照明模塊和低成本、高可靠、規(guī)格化LED照明產(chǎn)品;掌握了高導熱金剛石鍵合復合基板量產(chǎn)技術;研發(fā)了適用于薄膜LED的熱阻分析測試系統(tǒng)裝備;開發(fā)了薄膜LED近場分布光度計,可同時實現(xiàn)近場和遠場測量;實現(xiàn)了LED在市政照明、植物照明、機場、醫(yī)療等領域的應用示范。
 
  “十三五”期間,為進一步推動我國半導體照明材料的科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,科技部部署了“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項,將第三代半導體材料與半導體照明作為重點專項的發(fā)展重點之一進行支持。專項的部署,將進一步為我國從半導體照明產(chǎn)品生產(chǎn)、消費和出口大國發(fā)展成為產(chǎn)業(yè)強國奠定堅實的基礎,支撐全球照明行業(yè)的產(chǎn)業(yè)變革和節(jié)能減排的可持續(xù)發(fā)展。
 
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