2018年一季度，全球第三代半導體產業投資、并購活躍，越來越多的企業選擇互相合作。本期1°姐為大家梳理2018年1季度第三代半導體產業的投資并購動態。
投資擴產
投資擴產方面，繼2017年底三安光電、士蘭微等企業大筆投資SiC和GaN產業后，2018年2月，華燦光電與義烏信息光電高新技術產業園區管理委員會簽署合作協議，擬投資108億元建設先進半導體與器件項目，建設周期7年。
項目內容：①LED外延及芯片；②藍寶石襯底；③紫外LED；④紅外LED；⑤microLED；⑥MEMS傳感器；⑦垂直腔面發射激光器（VCSEL）；⑧氮化鎵（GaN）基激光器；⑨氮化鎵（GaN）基電力電子器件等先進半導體與器件項目。
產線建設
產線建設方面，多條產線相繼投產。據企業公布的信息，2018年2月，北京世紀金光6英寸碳化硅器件生產線成功通線，該產線的建成是我國首次實現碳化硅全產業鏈貫通；2月份，美林電子在山東淄博投資5000萬元建設的一條SiC二極管生產線通過竣工環境保護驗收并正式投入生產；2018年世界先進的8英寸GaN-on-Si制程將進入量產，成為全球第一家提供8英寸GaN晶圓代工的業者。
企業并購
企業并購方面，據材料深一度不完全統計，2018年1季度共發生3起并購項目。Littelfuse以6.55億美元收購IXYS，科銳以3.45億歐元收購英飛凌射頻業務，IQE以500萬美元收購Silex Systems 旗下子公司Translucent公司擁有的cREO（TM）技術和IP組合。
企業合作
此外，業內企業的合作不斷加強。科銳為英飛凌長期提供6英寸SiC晶圓；STM為MACOM提供射頻用的Si基GaN晶圓制造服務，MACOM授權STM制造和銷售除移動電話、無線基站及相關商業通信基礎設施應用領域以外的Si基GaN射頻產品；Qromis與比利時IMEC合作開發出基于8英寸襯底的增強型p-GaN功率器件，此前，Qromis已經與美國材料廠商Kyma、晶圓代工企業世界先進達成合作。
