在閉幕式報告環節，由五位特邀主題報告，由半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、中科院半導體所李晉閩研究員和山東大學徐現剛教授共同主持。
半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、中科院半導體所李晉閩研究員
山東大學徐現剛教授
北京大學寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室沈波教授
北京大學寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室沈波教授分享了“氮化物半導體及其量子結構的大失配異質外延”主題報告。沈波教授表示，由于異質外延和體系內部大失配、強極化的特性，氮化物半導體及其量子結構的外延生長一眼面臨一系列關鍵科學和技術問題，需要從生長動力學、缺陷物理和應力控制等角度開展系統的研究。
中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、納米真空互聯實驗站黃增利則帶來了“半導體異質結能帶結構band-offset研究進展”特邀報告。黃增利表示，蘇州納米所在建超納米超高真空互聯平臺是大型綜合開放研究設施，未來將集材料生長、測試分析、期間工藝于一體的科學研究和技術開發新技術開放平臺，熱誠歡迎各位MOCVD領域專家參觀交流，在開放平臺研究工作，針對互聯方向的研究完全免費開放使用。
山東大學、晶體材料國家重點實驗室徐現剛教授介紹了“GaAs基大功率半導體激光器的材料設計及生長研究”特邀報告。徐現剛教授認為，GaAs基半導體激光器功率覆蓋廣，應用廣泛，可在植物照明、紅外照明等照明領域廣泛使用；GaAs基大功率激光器材料決定了器件的指標，材料指標要求越來越細致，器件結構設計有待進一步深入研究，改善性能提高亮度。GaAs基激光器芯片是重要的基礎器件，與集成電路同等重要，不可忽視。
發光學及應用國家重點實驗室主任、中科院長春光機物理所申德振研究員分享了“寬帶氧化物半導體光電特性研究”特邀報告。申德振研究員回顧了半導體光電子發展，并分享了寬帶氧化物半導體光電特性研究進展，ZnO基P型摻雜及紫外發光與激光研究進展，ZnO基紫外探測器研究進展，寬帶氧化物半導體微波隱身特性研究進展，也分享了未來發展的建議。
南昌大學、國家硅基LED工程技術研究中心張建立分享了“硅襯底InGaN基長波段LED光電特性研究”特邀報告。張建立表示，硅襯底InGaN基LED在長波段取得了較大的進展，“黃光鴻溝”得到了大幅度緩解，黃光LED光效提高到130-180lm/w，綠光LED光效提高到180-300lm/w，無需藍光激發、無熒光粉LED照明技術正在路燈、臺燈市場示范應用，正為LED照明技術和產業增添新的活力。InGaN基長波段LED光效還有進一步提升的空間，在高品質智能照明、微顯示、光伏等方面擁有極大潛力。我國LED和LED照明技術應該有更大的理想，期待產、學、研、用共同努力，是我國LED產業引領世界。
隨后，南昌大學副校長江風益教授主持大會閉幕式環節，并宣布了大會優秀論文獲獎名單并舉行了頒獎儀式。其中，北京大學徐越的《C摻雜GaN中替位式C雜質的實驗研究》論文摘得大會優秀論文一等獎，范廣涵教授為獲獎代表頒發榮譽證書和獎品。北京大學尹瑞苑、南京大學石婭婷、南京大學聶凱文獲得二等獎，李晉閩研究員為獲獎代表頒發榮譽證書和獎品。商洛學院楊超普、北京大學解楠、中科院物理研究所迭俊琿、中國科技技術大學何俊蕾、中科院物理研究所王彩瑋、南京大學劉清獲得三等獎，申德振研究員和徐現剛教授為獲獎代表頒發證書和獎品。
大會組委會主任劉軍林教授
頒獎儀式結束后，大會組委會主任劉軍林教授從會議開始籌辦到大會圓滿閉幕，他感慨萬千，作了大會總結。他介紹說，MOCVD技術發明至今正好50周年，全國MOCVD學術會議從1989年第一屆至今已經歷時30年。本屆參會代表500+，參會單位60+，年齡從最小22歲，最大73歲，跨度51歲。收到論文214篇，邀請報告42個，口頭報告73個，張貼海報100個，優秀論文獎10篇。劉軍林教授從籌辦到大會結束，細致周密安排，始終如一，他激動的熱淚盈眶。本屆會議有我國MOCVD技術發展奠基人之一，且連續參加十五屆會議的范廣涵教授，有張榮校長、李晉閩研究員、徐現剛教授，沈波教授等諸多知名專家，有黎大兵研究員、孫錢研究員、王軍喜研究員、陸海教授等一大批中流砥柱專家學者，還有一大批20歲出頭的青年學生代表，共同參與并見證了本屆盛會的成功召開，也希望越來越多的專家學者青年學生能參與，一同為我國MOCVD技術領域的發展做出更大的貢獻。
閉幕式上，大會組委會各位專家經過討論，確定2020年第十六屆全國MOCVD學術會議將由南京大學與國家半導體照明工程研發及產業聯盟主承辦。并邀請了南京大學劉斌教授介紹了承辦單位及地點情況。
最后，大會主席南昌大學副校長江風益教授宣布會議勝利閉幕。并在閉幕總結發言時，指出了我國MOCVD領域還有很多需要研究和探討的方向，也勉勵青年學者要戒驕戒躁、耐得住寂寞搞研究，爭取為我國MOCVD發展做出新的貢獻。
