創芯聚智 共享生態 開創半導體產業發展新未來
--第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇在深圳盛大開幕

 

　　2018年10月23日下午，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。大會以“創芯聚智 共享生態”為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖、行業機構領導以及相關政府官員的積極參與，共同論道產業發展。

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

 

　　菁英匯聚  創芯聚智

 

　　作為半導體照明領域年度國際盛會，中國國際半導體照明（SSLCHINA）系列論壇到今年已是第十五屆，其已發展成為半導體照明領域最具規模、參與度最高、口碑最好的全球性專業論壇。更是行業發展的風向標，引領全球半導體照明產業發展新趨勢。國際第三代半導體論壇（IFWS）則是第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。在延續往屆成功經驗基礎之上，兩大盛會交相輝映，將熱點前沿一網打盡，合力為業界獻上一場年度饕餮大餐。

 

　　大會由全國政協教科衛體委員會副主任、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導委員會主任、國際半導體照明聯盟（ISA）主席曹健林擔任大會中方主席，美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授、2014年諾貝爾物理學獎得主中村修二與美國國家工程院院士、加州大學教授、Transphorm聯合創始人Umesh Mishra共同擔任大會外方主席。半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、國家半導體照明工程研發與產業聯盟研發執行主席李晉閩主持了開幕環節。

  半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任、國家半導體照明工程研發與產業聯盟研發執行主席 李晉閩

　　出席開幕式的領導嘉賓有：大會主席、2014年諾貝爾物理學獎得主、美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二，大會主席、美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh Mishra，中國科學院院士、南京大學電子科學與工程學院教授鄭有炓，中國工程院院士、北京有色金屬研究總院名譽院長屠海令，中國工程院院士、中車株洲電力機車研究所有限公司董事長丁榮軍，國家科學技術部高新技術及產業化司副司長曹國英，國家節能中心副主任楊博，廣東省科技廳副廳長李旭東，深圳市人民政府副秘書長劉佳晨，深圳市科技創新委主任梁永生，深圳市龍華區委常委、區政府常務副區長、黨組副書記張納沙，大會程序委員會主席、廈門大學校長張榮，深圳第三代半導體研究院院長趙玉海，悉尼大學教授、澳大利亞和新西蘭照明工程學會前副主席Warren Julian，美國智能照明工程技術研究中心主任、美國倫斯勒理工學院教授Robert KARLICEK，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長吳玲。

 

　　此外來自科技部、發改委、廣東省科技廳、深圳市人民政府、深圳市科創委和北京市順義區、張家港、杭州、長治、石家莊等地發改委、科技局及高新產業園區等政府部門代表，來自北京、天津、寧波、廈門、廣州、深圳等地的行業組織代表，來自海內外半導體照明及第三代半導體及相關領域的知名專家學者、企業領袖、行業組織領導、投資機構以及數十家媒體朋友們出席了本次盛會。

  廈門大學校長 張榮教授

　　開幕式上，論壇程序委員會主席、廈門大學校長張榮教授首先介紹了本屆論壇的組織情況，并向為論壇籌備建言獻策的各位專家表示衷心的感謝。

科學技術部高新司副司長 曹國英

 

　　產業的發展離不開各方的支持，科技部一直致力于推動我國科技創新以及戰略性新興產業的發展，并制定了諸多支持性的政策。科學技術部高新司副司長曹國英為大會致辭，并對論壇的召開表示祝賀。他表示，國家層面在積極部署發展第三代半導體，無論是產業的發展還是技術的發展，不僅僅取決于創新的深度和高度，創新的廣度也非常重要，要充分調動社會方方面面的創新資源，逐漸形成產業集群式發展。從戰略角度來看，更要考慮如何通過第三代半導體實現在電子材料方面實現一個跨越。

深圳市龍華區常務副區長 張納沙

　　深圳是我國LED產業的創新前沿地帶，作為本屆論壇的主辦方龍華區不斷加大對第三代半導體發展的支持力度，并逐漸成長為國內第三代半導體發展的重要勢力。深圳市龍華區常務副區長張納沙在致辭中表示，目前，廣東省在爭創產業發展的新優勢，深圳市出臺新興產業發展的相關政策，加快第三代半導體，人工智能等重點領域的布局，作為粵港澳大灣區、廣深科技創新走廊的核心區域，龍華區將繼續通過科技創新政策等各種保障措施大力發展半導體照明、第三代半導體等先進產業，促進產業轉型升級。

　　開幕式上， 2018中國創新創業大賽國際第三代半導體專業賽南部賽區及國際賽區結果揭曉，并舉行了隆重頒獎儀式。本次大賽的國際及南部賽區決賽由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、深圳市龍華區人民政府聯合主辦，深圳第三代半導體研究院、深圳市龍華區科創局承辦。經過激烈角逐，本次共9個國內外項目從兩大賽區的決賽中脫穎而出，成功晉級全球總決賽。美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授、諾貝爾物理學獎獲得者中村修二，國家科學技術部高新技術及產業化司副司長曹國英、深圳市人民政府副秘書長劉佳晨，廣東省科技廳黨組成員、副廳長李旭東，深圳市龍華區政府常務副區長張納沙，國家節能中心副主任楊博，科技部火炬中心處長李志遠，科技部高新司材料處副處長孟徽，深圳第三代半導體研究院院長趙玉海分別為獲獎單位頒獎。

　　立足全球  看產業發展圖景

 

　　接下來的開幕大會主題論壇環節，五大重量級報告亮點頻出，北京大學理學部主任、教授沈波與倫斯勒理工學院教授，照明系統及應用中心主任Robert F. KARLICEK共同主持了大會主題論壇第一部分。

美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授、2014年諾貝爾物理學獎得主 中村修二
 

　　半導體照明是第三代半導體材料第一個成功的應用，已取得了巨大的成就，除了自身技術應用的不斷發展，其在不同應用以及與不同技術的結合更有著巨大的發展空間。美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授、2014年諾貝爾物理學獎得主中村修二帶來了“LED現狀與未來半導體照明”的主題報告，分享了包括Micro LED、UVLED、激光LED等領域的最新研究成果。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長吳玲
 

　　今年以來，世界范圍內貿易形勢的變化也給我國半導體產業帶來不小的挑戰，行業企業面臨著新的產業生態變化，也有更多深層思考。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長、國家半導體照明工程研發及產業聯盟秘書長吳玲帶來了“開放創新 合作共贏” 的精彩報告。

 

　　立足國際產業發展形勢，從全球視角，全面分析了當前包括LED、微波射頻、電力電子等第三代半導體發展的現狀與趨勢，面臨的機遇與挑戰，以及面向未來的戰略與思考。她同時表示，半導體照明將進入成熟期，增長速度放緩，超越照明成為主要增長動力。第三代半導體功率器件市場拐點已經到來，未來5-10年將高速增長，國際競爭態勢嚴峻，技術創新和市場導入至關重要。

 

　　技術快速發展，國內外政治經濟形勢變化加劇有目共睹，把握產業發展脈搏才能更好的迎接未來。緊扣當前產業發展形勢，本屆大會特別設置了“新形勢下國際半導體技術產業生態高層對話”，深圳第三代半導體研究院院長趙玉海,河北半導體研究所副所長蔡樹軍,華燦光電股份有限公司總裁劉榕,木林森股份有限公司執行總經理林紀良,英飛特電子（杭州）股份有限公司董事會主席華桂潮,陽光電源股份有限公司副總裁趙為,中航國際投資有限公司總經理宋兵等來自不同環節的精英代表齊聚一堂，圍繞著當前國際半導體產業大環境，構建良性產業生態等議題，展開深度對話，多維度探討了新形勢下產業發展走向和應對策略。論壇程序委員會主席、廈門大學校長教授張榮主持了這一對話環節。

 

　　以氮化鎵碳化硅為代表的第三代半導體技術的發展是國際關注的熱點，在大會主題論壇的第三部分，圍繞著相關技術發展，專家們帶來了精彩的主題報告，深圳第三代半導體研究院副院長張國旗與歐洲廣電產業協會秘書長Carlos LEE共同主持了這一部分。
 

美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA

　　第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應用潛力巨大。誰掌握著技術的高地，誰就擁有更多的話語權。美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm董事長Umesh K. MISHRA做了題為“GaN技術帶來突破性能量轉化效率及射頻應用新格局”的主題報告，分享了GaN技術的進展，及射頻應用格局的變化。

PowerAmerica執行副總裁兼首席技術官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor VELIADIS

　　碳化硅被半導體界公認為“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。功率半導體器件是電力電子系統的重要組成部分，由于材料質量的制約，其制造與商業化問題一直備受關注。PowerAmerica執行副總裁兼首席技術官，美國北卡羅萊納州立大學教授Victor VELIADIS做了題為“碳化硅功率器件：制造與商業化之路”的主題報告，帶來最新的技術進展和前景趨勢分析。

英國謝菲爾德大學教授 王濤

　　氮化鎵是一種寬能隙材料，它能夠提供與碳化硅（SiC）相似的性能優勢，氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，其技術發展對半導體光電器件具有重要意義。英國謝菲爾德大學教授王濤做了“從非極性和半極性氮化鎵探索將來半導體光電器件”的主題報告，分享了氮化鎵技術的進步對光電半導體器件發展帶來的影響。

 

　　至此，第十五屆中國國際半導體照明論壇暨2018國際第三代半導體論壇開幕大會結束。為期三天的論壇里將有產業峰會、技術分會等數十場同期活動，從不同維度全方位探討產業發展的新趨勢、挑戰與機遇。十五年一步一個腳印，站在十五年的節點上，本屆大會還特別設置了“SSLCHINA&IFWS產業技術創新與應用展”，“十五年點亮世界--SSLCHINA十五年回顧展”，“第三代半導體國際創新創業大賽獲獎作品展”等同期會議會展活動。期待嘉賓們的關注和參與，共話中國半導體照明及第三代半導體的新未來。關于開幕大會論壇更多詳情，敬請關注中國半導體照明網、極智頭條的后續報道。