2018年10月23-25日，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟(jì)促進(jìn)局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。
本屆論壇將以“創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括固態(tài)紫外器件技術(shù)、碳化硅材料與電力電子器件技術(shù)、氮化鎵材料與電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。
10月25日上午，IFWS 2018之“功率器件封裝與應(yīng)用”分會(huì)召開。分會(huì)主題涵蓋寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝設(shè)計(jì)、工藝、關(guān)鍵材料與可靠性評(píng)價(jià)等方面，并廣泛征集優(yōu)秀研究成果，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名與家參加本次會(huì)議，充分展示寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件封裝技術(shù)及其可靠性評(píng)價(jià)的最新進(jìn)展。
法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY，天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)，西安交通大學(xué)教授王來(lái)利，重慶大學(xué)教授葉懷宇，南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任、研究員黃潤(rùn)華，中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇，香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級(jí)經(jīng)理李天河等中外同行專家，帶來(lái)精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)主持了本屆分會(huì)。
法國(guó)國(guó)家科學(xué)研究中心(CNRS)科學(xué)家Cyril BUTTAY分享了10 kV SiC MOSFET封裝關(guān)于電氣和熱性能之間的權(quán)衡的報(bào)告。他表示，對(duì)高性能冷卻系統(tǒng)的要求對(duì)封裝技術(shù)產(chǎn)生了影響:相應(yīng)的電源模塊必須既具有高電壓絕緣又具有低熱阻。特別地，在碳化硅裝置和冷卻系統(tǒng)之間的陶瓷基板的厚度之間有一個(gè)權(quán)衡。結(jié)合具體的研究實(shí)踐，他介紹了一種新的襯底結(jié)構(gòu)，其特點(diǎn)是提高了襯底的電壓強(qiáng)度而不增加襯底的厚度。
碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體材料和功率器件技術(shù)的進(jìn)步使節(jié)能的功率開關(guān)成為可能，其性能指標(biāo)比傳統(tǒng)的硅功率開關(guān)具有更低的通電阻、更高的阻塞電壓、更低的開關(guān)損耗和更高的工作結(jié)溫。然而，這些寬帶隙器件的封裝正成為它們廣泛應(yīng)用的瓶頸。天津大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授、弗吉尼亞理工大學(xué)終身教授陸國(guó)權(quán)做了分享了電動(dòng)汽車平面雙側(cè)冷卻SiC電源模塊的封裝技術(shù)的研究進(jìn)展，介紹了一種封裝解決方案，用于制造低調(diào)的、雙面冷卻的SiC電源模塊，以使電動(dòng)汽車的功率密度轉(zhuǎn)換大大提高。并介紹了一種60kw逆變器的模塊設(shè)計(jì)、材料選擇、模塊組裝過(guò)程以及模塊的測(cè)試結(jié)果。
現(xiàn)如今，功率半導(dǎo)體芯片正在從硅基向?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料發(fā)展，其工作溫度預(yù)計(jì)將會(huì)超過(guò)300攝氏度。為了保證功率半導(dǎo)體器件正常工作以及提高其可靠性和壽命，研究適應(yīng)高溫、高功率的封裝是非常有必要的。納米銀是完美的解決方案，然而昂貴的價(jià)格限制其只能在軍工或者高端產(chǎn)品上使用，納米銅是很好的替代方案。重慶大學(xué)教授葉懷宇分享了納米銅用于功率半導(dǎo)體封裝的工藝研究成果，包括中間層對(duì)于納米銅燒結(jié)層影響的研究以及在空氣、氮?dú)?、氬氣的環(huán)境中燒結(jié)，氣氛對(duì)于納米銅燒結(jié)過(guò)程中的影響的研究等。
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過(guò)程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，其也成為技術(shù)關(guān)注重點(diǎn)。南京電子器件研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任，研究員黃潤(rùn)華分享了SiC MOSFETs 的最新進(jìn)展。
以碳化硅、氮化鎵為代表的的寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于具有寬帶隙、高飽和飄逸速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，成為制造大功率、高頻、高溫及抗輻照電子器件的理想替代材料。目前碳化硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)和氮化鎵異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)的不斷成熟，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研制和應(yīng)用在近年來(lái)得到快速發(fā)展。會(huì)上，圍繞著器件方向，多位嘉賓從不同角度帶來(lái)了精彩報(bào)告。
西安交通大學(xué)教授王來(lái)利分享了寬禁帶功率器件封裝與集成的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。
中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇帶來(lái)了題為碳化硅混合開關(guān)器件初探的報(bào)告。
香港應(yīng)用科技研究院有限公司電子元件部高級(jí)經(jīng)理李天河分享了寬禁帶器件應(yīng)用在AGV電力電子系統(tǒng)中的優(yōu)勢(shì)。
（根據(jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解。）
