本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

中國科學院半導體研究所研究員 曾一平

　　“半導體裝備與智能制造”分會作為SSLCHINA論壇重要分會之一，由北京北方華創微電子裝備有限公司、中微半導體設備（上海）有限公司、維易科精密儀器國際貿易（上海）有限公司支持協辦，中國科學院半導體研究所研究員曾一平主持。

沙特阿卜杜拉國王科技大學 Kazuhiro OHKAWA教授
 

　　會上，來自沙特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授、北京北方華創微電子裝備有限公司產品總監董博宇、江蘇大學左然教授、中微半導體設備（上海）有限公司副總裁 & MOCVD產品事業部總經理郭世平、美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監Mark MCKEE、中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術總監張叢和南京大學陳琳分別從各自擅長領域帶來半導體裝備及技術工藝最新研究進展。

 

　　AlGaN MOVPE通常采用低壓生長。在大氣壓下，其生長速率會顯著下降。來自沙特阿卜杜拉國王科技大學的Kazuhiro OHKAWA教授介紹了《AlGaN 材料MOCVD生長優化和反應器設計》研究報告。報告中，在較寬的壓力、Al /（Ga + Al）比例和溫度范圍內成功仿真AlGaN生長。考慮到適量聚合物的形成，仿真中AlGaN的生長速率和組分與實驗中的非常一致。這一技術使我們有可能優化氮化物MOCVD并設計升級反應器。

北京北方華創微電子裝備有限公司產品總監 董博宇

　　北京北方華創微電子裝備有限公司產品總監董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領域中的開發及應用》主題報告。

 

　　AlN是最重要的III-V族半導體之一。在III族氮化物（AlN、GaN和InN）中，AlN具有最寬的帶隙、與GaN較低的晶格失配和熱失配，以及最強的金屬-氮鍵。它特別適用于制備紫外/深紫外光電子器件，以及GaN基功率半導體異質結的緩沖層和過渡層。在AlN MOCVD生長中，由于Al與N之間的強配位鍵，氣相寄生反應強烈，表面遷移率低，導致生長速率低，生長效率低，薄膜質量差。目前，AlN外延生長已成為制約AlN相關器件應用的瓶頸。深入了解AlN MOCVD的氣相和表面反應機理，對于改善生長工藝和薄膜質量具有重要意義。

江蘇大學 左然教授
 

　　江蘇大學左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應機理的量子化學計算》研究報告。他介紹到，課題組利用量子化學的密度泛函理論（DFT），對AlN MOCVD的氣相和表面反應進行的理論研究。在氣相反應中，已知三條反應路徑：TMAl直接熱解、TMAl氫解、以及TMAl與NH3的氨基物的形成和聚合。將尋找每條反應路徑所依賴的條件，包括反應器幾何結構和工藝參數，確定表面反應的主要前體，以及納米粒子形成的條件。對于AlN的表面反應，我們將研究主要的含Al粒子在AlN表面的吸附和擴散，包括僅含有A- C鍵的MMAl，以及含有A1-N核的氨基物DMANH2和Al(NH2)3，并比較在不同表面條件（理想或非理想）下的各種吸附結構、吸附能和擴散勢壘。并探討二維臺階生長的最佳條件及其與表面形貌、表面覆蓋率和氣相條件之間的關系。

中微半導體設備（上海）有限公司副總裁 & MOCVD產品事業部總經理 郭世平

 

　　中微半導體設備（上海）有限公司副總裁 & MOCVD產品事業部總經理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產型MOCVD機臺設計及外延生長的挑戰》主題報告。

美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監 Mark MCKEE

　　美國維易科精密儀器有限公司市場營銷總監Mark MCKEE分享了《Micro-LED顯示屏：關鍵制造挑戰和MOCVD技術》報告。他介紹到，微型LED顯示屏比其他顯示技術，如背光LED顯示屏、OLED顯示屏和等離子顯示屏，具有更高的亮度、更高的功率效率，而且更加堅固柔韌。然而，微型LED顯示屏的缺點之一是制作復雜，這導致了較高的顯示成本。在嚴格堅持目標成本的同時，微型LED顯示屏優秀性能和良率為其制造帶來了許多挑戰。報告中提出，從外延和LED轉換方面對微型LED顯示屏進行成本分析。展示移動外延和大規模轉移方面的進展，以優化顯示器的總成本。

中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術總監 張叢

　　中電科電子裝備集團有限公司離子注入機技術總監張叢分享了《國產離子注入機發展及應用》主題報告。

南京大學 陳琳
 

　　南京大學陳琳介紹了《6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數值模擬》主題報告。他介紹說，為提高寬帶隙半導體光電器件的性能，高質量、大面積和低成本GaN襯底的需求日益迫切。氫化物氣相外延是制備大尺寸高質量GaN襯底的最廣泛應用的方法。采用CFD方法對6英寸HVPE系統的生長腔進行了三維仿真模擬和優化，對腔體中的關鍵幾何參數、反應壓力以及襯底旋轉等的影響進行了數值分析。模擬研究表明，在改變襯底位置時，V/III比分布的改變可以使得生長速率的均勻性得到優化；襯底轉速的調整可以使氣體流線分布更整齊，通過消除渦旋從而提高生長質量。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解。】