2018年10月23日-25日，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心盛大召開(kāi)。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會(huì)聚集了國(guó)內(nèi)外知名專(zhuān)家和企業(yè)代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術(shù)前沿進(jìn)展。

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)分會(huì)”作為論壇重要分會(huì)之一，今年繼續(xù)設(shè)定為“主題日”活動(dòng)。分會(huì)得到了愛(ài)思強(qiáng)、德豪潤(rùn)達(dá)、國(guó)星光電、晶科電子的支持協(xié)辦。上半場(chǎng)，來(lái)自加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授、香港科技大學(xué)首席教授劉紀(jì)美、北京大學(xué)陳志忠教授、復(fù)旦大學(xué)張樹(shù)宇副教授、廣東德豪潤(rùn)達(dá)電氣股份有限公司LED芯片事業(yè)部產(chǎn)品經(jīng)理桑永昌、俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM；下半場(chǎng)，由來(lái)自臺(tái)灣交通大學(xué)佘慶威博士、南方科技大學(xué)副教授劉召軍、廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)系教授，福建省半導(dǎo)體照明工程技術(shù)研究中心副主任呂毅軍、北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲、南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院教授劉斌、德國(guó)愛(ài)思強(qiáng)產(chǎn)品管理總監(jiān)Jens VOIGT、復(fù)旦大學(xué)副教授田朋飛等國(guó)內(nèi)外知名專(zhuān)家學(xué)者企業(yè)代表為分會(huì)奉獻(xiàn)了高水準(zhǔn)研究報(bào)告。

　　臺(tái)灣交通大學(xué)佘慶威博士他在會(huì)上分享了《可實(shí)現(xiàn)全彩微顯示的新型微結(jié)構(gòu)LED》研究報(bào)告。他介紹說(shuō)，我們研究了一種新型微結(jié)構(gòu)Nano-Ring (NR) LED，首先通過(guò)改變NRLED的環(huán)壁厚度，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長(zhǎng)從480nm藍(lán)光到535nm綠光的變化，接著在藍(lán)光NRLED上噴涂紅色量子點(diǎn)材料進(jìn)行色彩轉(zhuǎn)換，即可在同一材料上實(shí)現(xiàn)RGB全彩微顯示。

 

　　并且，我們對(duì)NRLED的發(fā)光效率以及量子點(diǎn)材料的色轉(zhuǎn)換效率進(jìn)行了改善與提升。為了提高NRLED芯片的發(fā)光效率，我們利用原子層沉積ALD技術(shù)，在NRLED芯片的側(cè)壁上沉積不同厚度的氧化鋁保護(hù)層，再通過(guò)對(duì)比不同厚度保護(hù)層對(duì)芯片發(fā)光性能的改善程度，得到最優(yōu)化的ALD層厚度以及光效最高的NRLED芯片。

 

　　為了增加量子點(diǎn)材料的色轉(zhuǎn)換效率，我們采用高精度AJ量子點(diǎn)噴涂技術(shù)杜絕相鄰像素間量子點(diǎn)沉積時(shí)的串?dāng)_現(xiàn)象，并且開(kāi)發(fā)DBR反射板覆蓋于量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換層上，實(shí)現(xiàn)激發(fā)光的重復(fù)利用并且增加量子點(diǎn)材料的發(fā)光強(qiáng)度，我們還通過(guò)噴涂量子點(diǎn)材料與NRLED芯片的有源區(qū)進(jìn)行直接接觸，利用非輻射能量轉(zhuǎn)移現(xiàn)象進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換效率的躍升。【根據(jù)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】