2018年10月23-25日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與深圳市龍華區政府聯合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。

 

　　10月24日下午，“固態紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

　　美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。

 

　　AlGaN基深紫外LED吸引了人們越來越多的注意，因為其在殺菌，水凈化，皮膚病治療，生物探測等方面有著潛在的應用前景。由于藍寶石襯底和AlGaN材料之間存在著很大的晶格失配和熱失配，因而，多量子阱有源區的生長伴隨著較高的位錯密度，這導致更多非輻射復合的發生從而只能獲得較低的內量子效率。所以，AlGaN基的深紫外LED目前仍未普及應用的主要原因是受限于其較低的量子效率。

 

　　華中科技大學教授陳長清帶來了深紫外DUV-LED發光效率的提升策略的報告，結合具體的研究過程，他表示研究實現了在納米圖形化襯底上生長無裂紋的厚膜AlN層，納米圖形化襯底的實現是通過步進光刻機和ICP的刻蝕，其圖案可以得到良好的控制和重復。AlN外延層的厚度可超過10微米，表面達到了原子級的平整。X射線衍射測量的（0002）和（1012）面的半高寬分別為165和185弧秒，這表明AlN外延層有著很好的晶體質量，從而可改善LED的內量子效率。此外，深紫外LED芯片內部的全反射會嚴重影響光提取效率和外量子效率。此外，在藍寶石背面制備的蛾眼微結構能有效改善深紫外LED的光提取效率和外量子效率。

 

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