10月24日下午，“固態紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

　　美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。

 

　　高質量（TDD低于105 cm2）的兩英寸直徑的氮化鋁（AlN）襯底現已可用于生產UVC LED（波長小于280 nm）。最近一些研究小組開始開發研究波長小于240nm的UVC LED，美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER帶來了“短波紫外（UVC ）LED：氮化鋁襯底的優勢”的報告，分享了在短波長處獲得高性能UVC LED的研究進展和成果，他表示，這些c面氮化鋁襯底對于短波長的UVC發光二極管具有吸引力，因為基體中的低缺陷密度，加上鋁極性表面上的假外延生長，使得高含量的鋁含量器件層具有同樣低的TDD。這些c面氮化鋁襯底對于制造短波長UVC LED很有吸引力，因為襯底中的低缺陷密度與鋁極性面上的假晶外延生長相結合，使得具有低TDD的高鋁含量器件層成為可能。 與使用藍寶石等其他襯底的UVC LED器件制造技術相比，這種AlGaN/AlN技術在265nm波長表現出了優越性能和高產率，是消毒應用的最佳選擇。波長越短，假晶AlGaN / AlN技術的優勢更突出。

 

　　最近，有研究小組開始開發研究波長小于240nm的UVC LED。這些短波長LED有幾個有趣的商業應用，包括監測水中的硝酸鹽含量、排放氣體中的NOx和SOx、DNA純度分析和高性能液相色譜(HLPC)等。這些器件需要更高濃度的鋁，這改善了與AlN襯底的晶格匹配，并允許生長非常高質量的外延層。AlN的能帶(大于6eV)使得可以制造波長210nm左右的LED器件。 然而，在高鋁濃度下實現良好的導電性和電接觸越來越困難。此外，高鋁濃度的e-h重組產生的光子傾向于垂直c軸傳播，這使得c面襯底光子出射存在問題(TM極化問題)。

 

　　Leo SCHOWALTER表示，盡管存在這些問題，我們仍能夠在235nm波長處獲得高性能UVC LED。正向電壓通常小于6V，即使我們采用高鋁摩爾分數，與之前相比也是非常低的。20mA時，UVC LED在238 nm和235 nm波長處的輸出功率分別為0.5mW和0.4mW，這是在沒有特別輔助提高光子出射下獲得的。這些器件的使用壽命超過1000小時。

 

　?。▋热莞鶕F場資料整理，如有出入敬請諒解）