10月24日下午，“固態紫外器件技術”分會如期舉行，分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

　　美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜，華中科技大學教授陳長清，北京大學副教授許福軍，三重大學助理教授永松謙太郎，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢，廈門大學教授黃凱，中南大學教授汪煉成，南京大學蘇琳琳等中外同行專家帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇，中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。

 

　　紫外單光子探測器在軍事和民用領域有重要的應用前景。4H-SiC作為新型第三代半導體材料具有禁帶寬度大、載流子飽和漂移速度高、碰撞離化系數大、化學穩定性優等優勢，是制備紫外雪崩光電探測器（APD）的優選材料。近年來，雖然4H-SiC APD的性能不斷提高，但仍存在雪崩增益不均勻，單光子探測效率低等問題。南京大學蘇琳琳帶來了4H-SiC紫外雪崩光電探測器的雪崩不均勻性研究的報告，具體的研究實踐表明顯示器件臺面內的雪崩不均勻性與[11-20]晶向有關，這對優化器件結構、提高性能有重要指導意義。

 

　　（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）