2018年10月23-25日,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)與深圳市龍華區政府聯合主辦的第十五屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國際第三代半導體論壇(IFWS 2018)在深圳會展中心舉行。
10月24日下午,“固態紫外器件技術”分會如期舉行,分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料,高效量子結構設計及外延,以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
美國Crystal IS.聯合創始人Leo SCHOWALTER,中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜,華中科技大學教授陳長清,北京大學副教授許福軍,三重大學助理教授永松謙太郎,中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢,廈門大學教授黃凱,中南大學教授汪煉成,南京大學蘇琳琳等中外同行專家帶來精彩報告,并分享各自的最新研究成果。廈門大學教授康俊勇,中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜共同主持了本屆分會。
隨著應用的逐漸擴大,近年來,使用同樣III族氮化物半導體制備的UVC-LED作為汞燈的替代,備受關注,三重大學助理教授永松謙太郎帶來了UVC-LED中應力松弛層對濺射沉積高溫退火AlN /藍寶石影響的研究,分享了一種方法將濺射沉積的高溫退火(Sp-HTA) AlN/藍寶石作為UVC-LED的襯底,以在大規模量產中降低成本。利用Sp-HTA可獲得高結晶質量和光滑表面的AlN層。利用應力松弛層制備了基于Sp-HTA AlN/藍寶石的UVC-LED,并與常規MOVPE-AlN模板進行了比較。結果表明,比傳統的MOVPE-AlN相比,LED光輸出強度提高了1.5倍。他同時分享探討了基于Sp-HTA AlN/藍寶石的UVC-LED的應力松弛層的細節特征。
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