近年來，隨著各種半導體發光材料和器件的不斷發展，新型顯示技術與照明技術的結合更加緊密，為未來顯示與照明技術的交叉和多元化應用奠定了基礎。從器件角度看，新型顯示與照明技術所對應的發光器件包括：Micro-LED、有機發光二極管（OLEDs）、量子點發光二極管（QLEDs）、半導體激光器、鈣鈦礦發光二極管（PerLEDs），以及其他新型半導體發光器件。其中，Micro-LED近年來發展尤為迅速，未來發展可期。

廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業部產品經理桑永昌

　　2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會聚集了國內外知名專家和企業代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術前沿進展。

 

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、深圳市龍華區人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持，深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。

 

 

　　“Micro-LED與其他新型顯示技術分會”作為論壇重要分會之一，今年繼續設定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達、國星光電、晶科電子的支持協辦。會上，來自廣東德豪潤達電氣股份有限公司LED芯片事業部產品經理桑永昌介紹了《Mini和Micro LED 焊接技術》主題報告。

 

　　他介紹說，Mini 和Micro LED由于其潛在的顯示技術的下一個革命而引起了廣泛的興趣。對于Mini LED，由于其相對較大的芯片尺寸，通過商業上可獲得的挑選和放置技術，Mini LED的傳輸是可行的。Mini LED通常是在芯片的一個表面上具有陰極和陽極的倒裝芯片LED。對于L*W100100*200微米的小芯片，陰極和陽極間隙為<100微米。這種小間隙對鍵合屈服具有挑戰性。為此，介紹了一種用于小型LED的高可靠性、高可靠性的SAC釬料互連方法。

 

　　對于Micro LED，由于其芯片尺寸小，目前沒有商業上可用的傳輸技術。各種各樣的大規模平行拾取和放置使用電磁、靜電，“粘性磁帶”的方法來拾取Micro LED已經被提出。大多數Micro LED的轉移，而不是電互連的形成。我們提出一種更簡單和更可行的技術，首先使用紅外激光輔助鍵合和紫外激光剝離來選擇性地將微LED陣列從外延襯底直接鍵合和傳輸到有源矩陣背板，而不需要中間襯底。【根據會議資料整理，如有出入敬請諒解！】