2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心盛大召開。24日下午，“半導體裝備與智能制造”分會成功舉行。

 

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國家科學技術部高新技術發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會和張家港高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟促進局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

　　“半導體裝備與智能制造”分會作為SSLCHINA論壇重要分會之一，由北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、中微半導體設備（上海）有限公司、維易科精密儀器國際貿(mào)易（上海）有限公司支持協(xié)辦。會上，來自南京大學的陳琳介紹了《6英寸GaN襯底生長用HVPE反應腔的三維數(shù)值模擬》主題報告。

 

　　他介紹說，為提高寬帶隙半導體光電器件的性能，高質(zhì)量、大面積和低成本GaN襯底的需求日益迫切。氫化物氣相外延是制備大尺寸高質(zhì)量GaN襯底的最廣泛應用的方法。

 

　　采用CFD方法對6英寸HVPE系統(tǒng)的生長腔進行了三維仿真模擬和優(yōu)化，對腔體中的關鍵幾何參數(shù)、反應壓力以及襯底旋轉等的影響進行了數(shù)值分析。模擬研究表明，在改變襯底位置時，V/III比分布的改變可以使得生長速率的均勻性得到優(yōu)化；襯底轉速的調(diào)整可以使氣體流線分布更整齊，通過消除渦旋從而提高生長質(zhì)量。

 

　　此外，通過對加入額外HCl的分析，獲得了抑制寄生沉積和提高外延膜質(zhì)量的優(yōu)化參數(shù)。【根據(jù)會議資料整理，如有出入敬請諒解！】