近年來,隨著各種半導體發光材料和器件的不斷發展,新型顯示技術與照明技術的結合更加緊密,為未來顯示與照明技術的交叉和多元化應用奠定了基礎。從器件角度看,新型顯示與照明技術所對應的發光器件包括:Micro-LED、有機發光二極管(OLEDs)、量子點發光二極管(QLEDs)、半導體激光器、鈣鈦礦發光二極管(PerLEDs),以及其他新型半導體發光器件。其中,Micro-LED近年來發展尤為迅速,未來發展可期。
2018年10月23日-25日,第十五屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國際第三代半導體論壇(IFWS 2018)在深圳會展中心盛大召開。24日,“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會聚集了國內外知名專家和企業代表,共同探討了Micro-LED等新型顯示技術前沿進展。
本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)、深圳市龍華區人民政府主辦,國家科學技術部高新技術發展及產業化司、國家科學技術部國際合作司、國家工業與信息化部原材料工業司、國家節能中心、深圳市科技創新委員會和張家港高新技術產業開發區特別支持,深圳市龍華區經濟促進局、深圳市龍華區科技創新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
“Micro-LED與其他新型顯示技術分會”作為論壇重要分會之一,今年繼續設定為“主題日”活動。分會得到了愛思強、德豪潤達、國星光電、晶科電子的支持協辦。會上,來自復旦大學的張樹宇教授介紹了《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點薄膜》主題報告。
他在報告中表示,全無機CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(QDs)由于其優異的光學性能,包括極高的光致發光量子產率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調發射,很可能成為下一代量子點顯示技術。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結晶,為低成本大批量生產CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而,RT合成的QDs在工作條件下的穩定性性能與傳統QDs不具有可比性,嚴重限制了其實際應用。
在此,我們證明了一種簡便、低成本的方法,可以通過有效抑制不利的晶粒生長和表面阱態,顯著提高RT合成的CsPbX3量子點的穩定性。我們系統地研究了QDs的熱穩定性、光穩定性和水穩定性,并取得了比以往工作報告更好的穩定性性能。在此基礎上,我們使用CsPbBr3和CsPbBr1.2I1.8 QDs制作了qd轉換的白色led。這些白色的led能夠覆蓋非常寬的色域135% NTSC和101% Rec. 2020。我們相信,這將為今后發展商業鈣鈦礦QD顯示器鋪平道路。【根據會議資料整理,如有出入敬請諒解!】