第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。誰掌握著技術(shù)的高地，誰就擁有更多的話語權(quán)。

 

　　2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”在河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。

　　“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”作為論壇重要技術(shù)分會之一，會上，來自西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報告。

 

　　他介紹說，在SiC襯底上實現(xiàn)了高性能的柵長為0.1um的常關(guān)型薄勢壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴展技術(shù)實現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達到0.6V，飽和電流達到845mA/mm@Vgs=3V <mailto:845mA/mm@Vgs=3V>，峰值跨導(dǎo)達到412mS/mm，電流截止頻率達到61GHz，最大震蕩頻率達到130GHz。

 

　　實驗結(jié)果表明氮化鈦源極擴展技術(shù)能夠有效的提升常關(guān)型AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件的跨導(dǎo)峰值和頻率特性。【根據(jù)會議資料整理，如有出入敬請諒解！】