近年來，隨著各種半導(dǎo)體發(fā)光材料和器件的不斷發(fā)展，新型顯示技術(shù)與照明技術(shù)的結(jié)合更加緊密，為未來顯示與照明技術(shù)的交叉和多元化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。從器件角度看，新型顯示與照明技術(shù)所對(duì)應(yīng)的發(fā)光器件包括：Micro-LED、有機(jī)發(fā)光二極管（OLEDs）、量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLEDs）、半導(dǎo)體激光器、鈣鈦礦發(fā)光二極管（PerLEDs），以及其他新型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其中，Micro-LED近年來發(fā)展尤為迅速，未來發(fā)展可期。

同時(shí)，GaN基micro-LED (μLED)陣列可用于高亮度微顯示、高效率固態(tài)照明和高速可見光通信的高帶寬發(fā)光芯片。通過結(jié)合以上功能，可以實(shí)現(xiàn)用于大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的智能μLED系統(tǒng)。至今為止，還未有將μLED陣列用于高帶寬探測(cè)器(PD)的報(bào)道。

2018年10月23日-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會(huì)展中心盛大召開。24日，“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)”分會(huì)聚集了國內(nèi)外知名專家和企業(yè)代表，共同探討了Micro-LED等新型顯示技術(shù)前沿進(jìn)展。

“Micro-LED與其他新型顯示技術(shù)分會(huì)”作為論壇重要分會(huì)之一，今年繼續(xù)設(shè)定為“主題日”活動(dòng)。分會(huì)得到了愛思強(qiáng)、德豪潤達(dá)、國星光電、晶科電子的支持協(xié)辦。會(huì)上，邀請(qǐng)了復(fù)旦大學(xué)的田朋飛教授分享了《智能GaN基micro-LED陣列》研究報(bào)告。

他介紹說，通信(VLC)是一種有前途的無線通信，用于補(bǔ)充現(xiàn)有的無線通信技術(shù)，以滿足不斷增長的高速通信需求。基于GaN基LED的可見光通信引起了人們極大的興趣。但是由于商用大尺寸LED具有較低調(diào)制帶寬，這限制了可實(shí)現(xiàn)的VLC數(shù)據(jù)速率，因此新型GaN基μLED被用來提高光電調(diào)制帶寬，進(jìn)而提高數(shù)據(jù)速率。大多數(shù)的研究都集中在使用μLED作為發(fā)射端來傳遞信號(hào)，然而，基于GaN的μLED也可以用作PD來進(jìn)行可見光通信。

提出并實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了使用GaN基μLED陣列作為PD來用于高速并行可見光通信，我們使用具有小光束發(fā)散角的405nm紫光激光二極管(LD)作為發(fā)射端。研究了基于100μm，60μm和40μm的不同直徑的μLED的PD的光電特性以及使用μLED陣列作為陣列PD的并行通信特性, 發(fā)射端到接收端的距離約為1米。對(duì)于不同尺寸的μLED基PD，最大數(shù)據(jù)速率分別為180 Mbps，175 Mbps和185 Mbps，相應(yīng)的誤碼率(BER)分別為3.5×10-3，3.7×10-3和3.5×10-3。【根據(jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】