2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與深圳市龍華區政府聯合主辦。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。

 

　　本屆論壇將以“創芯聚智 共享生態”主題，其中，IFWS 2018圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用，設置了包括固態紫外器件技術、碳化硅材料與電力電子器件技術、氮化鎵材料與電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

 

　　10月25日上午，IFWS 2018之“氮化鎵材料與器件技術”分會召開。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。

 

　　日本名城大學副教授Motoaki IWAYA，香港科技大學教授陳敬，電子科技大學教授，集成電路研究中心主任張波，加拿大多倫多大學教授吳偉東，德國亞琛工業大學教授、AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN，北京大學高級工程師楊學林，中科院半導體所張翔等中外同行專家，帶來精彩報告，并分享各自的最新研究成果。中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員、蘇州納維科技有限公司董事長徐科與電子科技大學教授張波共同主持了本屆分會。

 

　　日本名城大學副教授Motoaki IWAYA做了題為“AlGaN激光的現狀與問題”的報告，紫外激光廣泛應用于生物/化學光子學，材料加工，半導體激光器等領域，AlGaN材料是實現這些器件最合適的材料之一。這些激光器具有優良的特性，比如如緊湊性等，與現有的準分子激光器等氣體激光器相比效率高。這些器件具有很高的潛力，報告討論了兩種基于AlGaN的紫外激光注入的現狀和問題，包括基于電流注入的AlGaN基紫外激光器和電子束激發問題。其中激光注入電流部分，器件的潛力受到效率電流的限制，這些限制很多時候是由于高AlN摩爾分數低電阻率p型AlGaN合金的制備難點帶來的，業界也正在研究各種方法來解決這個問題。報告討論了當前的現狀和潛力，并分享了其研究團隊的研究結果和解決方案。

 

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