開(kāi)幕大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

大會(huì)程序委員會(huì)聯(lián)合主席、中國(guó)半導(dǎo)體研究所研究員 王軍喜 主持開(kāi)幕式

　　第一、第二屆IWUMD分別在中國(guó)北京、日本福岡舉辦。本屆會(huì)議由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）和半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合主辦，北京大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、昆明理工大學(xué)共同協(xié)辦。同時(shí)還得到了中科潞安、TES、奧趨光電、中烏新材、大族激光、隆興達(dá)、脈科、美揚(yáng)科技、納維科技、國(guó)星光電、中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司第二研究所、Crosslight、Aixtron、北方華創(chuàng)、鴻利智匯等單位的大力支持。

大會(huì)主席、中科院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心主任 李晉閩為大會(huì)致辭

廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮致辭并擔(dān)任嘉賓主持

大會(huì)程序委員會(huì)主席、北京大學(xué)王新強(qiáng)教授匯報(bào)會(huì)議情況
 

　　本次會(huì)議特別邀請(qǐng)了國(guó)內(nèi)外在紫外材料和器件相關(guān)領(lǐng)域的20多位知名專家就AlN、BN和Ga2O3等的紫外材料的外延生長(zhǎng)、物理機(jī)制和相關(guān)器件等方面做了特邀報(bào)告，充分展示了國(guó)內(nèi)外在這些技術(shù)領(lǐng)域的最新成果和最新動(dòng)態(tài)，特別是我國(guó)在紫外相關(guān)材料和器件方面的最新進(jìn)展。目前我國(guó)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化水平已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。此外大會(huì)內(nèi)容豐富，包括會(huì)前特邀五位國(guó)際專家進(jìn)行了專題培訓(xùn)；除了開(kāi)閉幕大會(huì)以外，還設(shè)置了兩個(gè)并行分會(huì)，邀請(qǐng)報(bào)告、口頭報(bào)告和海報(bào)等環(huán)節(jié)，受到了參會(huì)代表的一致好評(píng)。

大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)

培訓(xùn)現(xiàn)場(chǎng)

分會(huì)一

分會(huì)二

分會(huì)三

分會(huì)四

　　由于半導(dǎo)體照明新興產(chǎn)業(yè)的帶動(dòng)，紫外材料和器件技術(shù)及其相關(guān)應(yīng)用得到了前所未有的快速發(fā)展。本次會(huì)議為國(guó)內(nèi)外從事紫外材料和器件相關(guān)技術(shù)研發(fā)的科研人員提供相互了解和交流的機(jī)會(huì)，促進(jìn)了國(guó)內(nèi)外紫外材料和器件相關(guān)研究機(jī)構(gòu)的溝通與合作，為進(jìn)一步加快我國(guó)紫外材料和器件技術(shù)創(chuàng)新及該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化推廣應(yīng)用起到了積極的作用。
 

海報(bào)展示

優(yōu)秀論文頒獎(jiǎng)

嘉賓現(xiàn)場(chǎng)交流


現(xiàn)場(chǎng)交流

現(xiàn)場(chǎng)交流
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