美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設計出一種垂直集成氮化鎵LED結構，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
羅徹斯特理工學院的馬修（Matthew Hartensveld）和張敬（音譯，Jing Zhang）在 IEEE Electron Device Letter期刊上發(fā)表了一項研究，描述了他們將納米線氮化鎵場效電晶體（field-effect transistors簡稱“FETs”）和氮化銦鎵LED集成在一起的方法。在這個有創(chuàng)意的新結構中，電晶體被放置在LED下面以實現控制和調光。
據悉，研究員通過結合電晶體和LED，創(chuàng)造出一個緊湊的結構，且制造過程簡易。在改善Micro LED顯示器發(fā)展方面，這個新設計的結構是一個性價比更高的選擇。
研究表明，新結構中，一個區(qū)域可放置更多的LED，因此，像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸變小，像素密度變大，這對于發(fā)展Micro LED顯示器有很大的幫助。
但是，目前垂直設計的局限性在于關閉LED需要一個負電壓，對此，研究者正在努力改進中。
