2019年7月24日，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）的 2項聯盟標準T/CASA009-201X《半絕緣SiC材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》、 T/CASA010-201X《GaN材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法》的起草小組討論會在中科院半導體所召開，北京科技大學、中科院半導體所、北京大學、中電科十三所、深圳第三代半導體研究院、中科鋼研、濟南力冠、中科院納米所、河北同光等單位參加標準討論會。
CASA標準化委員會于2017年2月正式成立，在“公開、透明、協商一致”的原則下開展團體標準化工作，圍繞科技創新、標準研制與產業發展協同機制，探索以科研研發提升技術標準水平、以技術標準促進科技成果轉化應用新模式，發揮聯盟優勢，促進創新成果轉化為現實生產力，服務于產業市場發展。
已經發布的聯盟標準文件可通過網站下載：
CASA標準化委員會http://www.casa-china.cn/a/casas/about/
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CASA 標準技術文件列表
1.T/CASA001-2018 碳化硅肖特基勢壘二極管通用技術規范
2.T/ CASA/TR 001-2018 SiC器件在DCDC充電模塊應用技術報告
3.T/ CASA002-201X 寬禁帶半導體術語定義
4.T/CASA003-2018 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
5.p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
6.T/CASA004.2-2018 4H-SiC襯底及外延層缺陷圖譜
7.T/CASA005-201X GaN HEMT電力電子器件測試方法
8.T/CASA006-201X 碳化硅金屬-氧化物-半導體場效應晶體管測試方法
9.T/CASA007-201X 電動汽車用SiC MOS模塊評測
10.T/CASA008-201X 地鐵再生制動能量回收系統技術規范
11.CASA009-201X 半絕緣SiC材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法
12.CASA010-201X GaN材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法
2.T/ CASA/TR 001-2018 SiC器件在DCDC充電模塊應用技術報告
3.T/ CASA002-201X 寬禁帶半導體術語定義
4.T/CASA003-2018 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
5.p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片 p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片
6.T/CASA004.2-2018 4H-SiC襯底及外延層缺陷圖譜
7.T/CASA005-201X GaN HEMT電力電子器件測試方法
8.T/CASA006-201X 碳化硅金屬-氧化物-半導體場效應晶體管測試方法
9.T/CASA007-201X 電動汽車用SiC MOS模塊評測
10.T/CASA008-201X 地鐵再生制動能量回收系統技術規范
11.CASA009-201X 半絕緣SiC材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法
12.CASA010-201X GaN材料中痕量雜質濃度及分布的二次離子質譜檢測方法
