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CSA、CASA“紫外光電器件培訓會”在揚州成功舉辦

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-08-08 來源:中國半導體照明網作者:CSA標委會瀏覽次數:276
  8月8日,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦的“紫外光電器件培訓會”在揚州會議中心成功舉辦,40余家單位代表參加了培訓。CSA常務副秘書長阮軍出席會議并致辭,與北京大學沈波教授、廈門大學康俊勇教授、南京大學陸海教授共同主持了本次培訓會。
CSA 常務副秘書長  阮軍
  CSA常務副秘書長阮軍在致辭中表示,紫外光電器件作為半導體照明產業新的市場方向,具有廣闊的應用前景。為行業了解紫外LED及探測器技術進展,培養掌握理論、實踐綜合知識的高素質復合人才,聯盟組織邀請了紫外光電從外延、芯片、封裝等領域的教授、專家開展此次培訓會,感謝諸位專家老師能百忙之中安排時間授課,希望參與培訓的學員能夠充分抓住此次學習機會,與專家老師們深入交流,掌握先進技術同時,也為企業和產業貢獻力量。

會議現場
  氮化物半導體在半導體照明、新一代移動通訊、新一代通用電源、雷達新能源汽車等領域有重大應用,對國家的產業升級、節能減排、國防安全具有戰略意義。同時,氮化物半導體也是全球高技術競爭的關鍵領域之一,其中AlN和高Al組分AlGaN是固態和紫外發光不可替代的半導體材料。

北京大學  沈波教授
  北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體中心副主任沈波教授分享《藍寶石上AIN的外延生長和深紫外LED器件的研究》。報告中指出,由于異質外延和體系內部大失配、強極化的特性,AlN、高Al組分AlGaN及其量子結構的外延生長和DUV-LED研制依然面臨一系列關鍵科學和技術問題,需要開展更為系統的研究。采用高溫退火和“小合攏區NPSS側向外延”方法制備出高質量AlN和高Al組分AlGaN外延層,AlN層XRD搖擺曲線半高寬為132(002)/140(102)arcsec,i-AlNGaN層(58%Al組分)為151(002)/235(102)arcsec;發光波長279nm,IQE超過80%。

廈門大學  康俊勇教授
  廈門大學康俊勇教授分享《紫外LED發光機理和科學問題》主題報告。報告中首先介紹了半導體紫外光源優勢,對LED發光機理及半導體/金屬電極歐姆接觸、注入效率、內量子效率、出光效率、效率下降、非平衡生長等科學要點問題進行了詳細講解。

華中科大學  陳長清教授
  發展深紫外LED產業意義重大,完全符合國家發展戰略。華中科技大學陳長清教授分享《紫外LED技術及應用》主題報告。報告中指出,紫外光源市場中,傳統汞燈正逐步被UV-LED取代,紫外UV-LED在光固化、光療、殺菌消毒的領域已成為未來技術發展趨勢。近紫外LED固化市場處于快速增長期,CAGR~23%,深紫外LED殺菌凈化市場處于爆發性增長初期,CAGR~210%。近紫外LED技術較為成熟并發展迅速,已應用于噴繪、膠印、光纖、液晶等領域的光固化。實現芯片及光源系統的光、熱和結構協同匹配優化成為工作重點。深紫外LED芯片性能仍需提高,制備高質量的AlGaN材料和提高芯片光提取效率將是未來深紫外LED的研究重點。

南京大學  陸海教授
  南京大學陸海教授詳解《紫外光電探測器技術及應用》主題報告。首先從技術應用背景與需求,紫外探測器分類與基礎知識,紫外探測器技術發展現狀,面臨的科學與技術問題詳細展開。常規結構GaN基和SiC紫外探測器已經達到產業化水平,并在不斷拓展新型應用;用于材料成熟度較高,SiC紫外單光子探測器已經可以實現較好的性能;寬禁帶紫外單光子探測技術正向“成像陣列”方向發展。寬禁帶光電探測器在EUV和軟x射線探測領域可能有新進展。

華中科技大學  陳明祥教授
  華中科技大學陳明祥教授介紹《紫外/深紫外LED封裝技術》研究報告。他表示,紫外LED技術優勢明顯,已替代汞燈成為新一代紫外光源。淺紫外LED可采用白光 LED封裝技術(材料/結構/工藝),主要應用于光固化、光催化、防偽等領域;深紫外LED必須采用全無機封裝材料,氣密封裝、低溫焊接,與提高光效是其技術關鍵;深紫外LED器件主要應用于殺菌/消毒,在流動空氣與水體,凈化領域前景廣闊??煽啃院统杀臼怯绊懮钭贤釲ED器件應用的主要因素。

北京華創智道知識產權咨詢服務公司  副總裁  褚戰星
  北京華創智道知識產權咨詢服務公司副總裁禇戰星分享了《UVLED專利技術分析》專題報告。全球專利快速增長,進入布局黃金時期。照明、消毒、醫療等應用是未來布局重點。美、日、韓進入中國步伐加快。他建議,就UVLED技術專利布局要做好產業知識產權風險應對工作,建立起產業知識產權主場優勢,關注跟蹤主要競爭對手全球布局,加強該產業專利全球布局。

東莞市國瓷新材料科技有限公司  吳朝暉博士
  東莞市國瓷新材料科技有限公司吳朝暉博士帶來了《UVLED陶瓷封裝基板及封裝技術》主題報告。據了解,2022年全球UVLED市值將達到12.3億美金,其中深紫外LED將達到9億美元,對應的陶瓷基板市值約2億美金,年復合增長率74%。未來深紫外封裝技術朝向更高能量密度發展,并且深紫外LED市場面臨消費者對其功能性、安全性、便利性和性價比四大因素的綜合考量。

中國科學院半導體研究所  魏學成研究員
  中國科學院半導體研究所魏學成研究員分享了《紫外光電器件及應用標準綜述》主題報告,從紫外光源器件技術與市場概況、紫外LED應用領域、紫外技術標準概況、UV LED標準體系四方面進行展開。他介紹,目前UV LED市場的主要應用還是固化(2018年市場規模約1.2億美元,占比大約58%);從2021年開始,UVC LED性能逐漸提升,消毒凈化的市場將崛起并逐漸取代固化應用的統治地位(預測2021年市場規模約2.4億美元,占比大約56%)。深紫外LED面臨晶體質量差、電注入效率低、極化效應、低的光提取效率技術瓶頸。
  最后,CSA聯盟常務副秘書長阮軍做會議總結,他表示,非常感謝各位專家為本次培訓會精心準備的培訓課件,感謝各企業技術負責人、高校老師、學生報名參加、積極互動,不過本次活動時間安排還是比較緊張,今后聯盟將會吸取經驗,設置更多問答、互動環節,根據產業熱點需求開展此類活動,為行業提供更好的學習、溝通、交流的平臺,促進產業發展進步。最后再次感謝大家的參與和對聯盟的支持,本次會議圓滿完成。
 
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