以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材料的研究和應用，近年來不斷獲得技術的突破。超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
作為論壇的重要組成部分，本屆“超寬禁帶半導體技術”論壇將于2019年11月26日上午深圳會展中心·五層玫瑰廳2 召開。本分會著重研討超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，旨在搭建產業、學術、資本的高質量交流平臺，共同探討超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。
時間：2019年11月26日上午09:00 -12:00
地點：深圳會展中心 · 五層玫瑰廳2
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