為了表彰和宣傳在我國第三代半導(dǎo)體事業(yè)中做出顯著業(yè)績和突出貢獻的青年典型，用卓越青年的精神激勵、教育和引導(dǎo)第三代半導(dǎo)體行業(yè)青年進一步開拓創(chuàng)新，聯(lián)盟青年創(chuàng)新促進委員會在科技部及聯(lián)盟的支持和指導(dǎo)下，自2016年起已開展了三屆 “第三代半導(dǎo)體卓越青年”評選活動，取得了良好的帶動效應(yīng)。為了更好的對接國家人才計劃，為國家中青年拔尖人才、科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才推薦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)秀人才，同時對接國家青年項目，推薦入選第三代半導(dǎo)體卓越青年的人才承擔(dān)或參與相關(guān)國家計劃項目，第四屆“CASA第三代半導(dǎo)體卓越青年”評選于2019年9月正式啟動。
本屆活動自開展以來，受到社會各界的廣泛關(guān)注和廣大青年的積極響應(yīng)。根據(jù)評選規(guī)則和嚴格的專家評審，遴選產(chǎn)生了前5名獲獎人員，現(xiàn)將第四屆“CASA第三代半導(dǎo)體卓越青年”獲獎人員進行公示。
公示期為五天。如有任何問題請與聯(lián)盟秘書處聯(lián)系，聯(lián)系電話：010-82388680。秘書處郵箱：casa@casa-china.cn
第四屆“CASA第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年”獲獎人員名單
和巍巍,博士,深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理，國家萬人計劃專家，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會理事。和巍巍博士本科于清華大學(xué)電機系，博士畢業(yè)于劍橋大學(xué)獲工程系。主要研究方向為功率半導(dǎo)體器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、設(shè)計、制造及應(yīng)用，獲得英國發(fā)明專利授權(quán)1項、美國發(fā)明專利授權(quán)1項、中國專利授權(quán)20余項，在國際著名期刊和會議上發(fā)表了多篇論文。和巍巍博士擔(dān)任深圳清華大學(xué)研究院第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心副主任、中國電源學(xué)會青年工作委員會秘書長等職務(wù)。和巍巍博士曾獲得2017年深圳市科學(xué)技術(shù)獎（專利獎）、2018年國家科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才、2019年中國專利優(yōu)秀獎等獎項。
孫曉娟，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所副研究員，博士，博士生導(dǎo)師，優(yōu)秀青年基金獲得者。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，尤其是AlGaN基光電子材料生長及器件研究。作為項目負責(zé)人承擔(dān)國家自然科學(xué)基金項目、國家重點研發(fā)計劃子課題等項目10余項。在Light:Science & Applications,Applied Physics Letters等期刊發(fā)表SCI論文40余篇，申請/授權(quán)發(fā)明專利30余項，榮獲吉林省科技成果獎一等獎，中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進會會員，擔(dān)任Scientific Reports、ACS等學(xué)術(shù)期刊審稿人。
汪煉成，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所物理電子學(xué)博士，中南大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師，中南大學(xué)微電子科學(xué)與工程系副主任。先后在中科院半導(dǎo)體所, 新加坡南洋理工大學(xué)，新加坡科技大學(xué)和英國謝菲爾德大學(xué)從事博士和博士后研究工作，科研方向為集成寬禁帶半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)，在GaN LED 方面有近10年科研經(jīng)歷，近5年以第一/通訊作者發(fā)表SCI論文40余篇，引用次數(shù)744次，申請專利38項，已授權(quán)13項，成功制備性能國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流垂直結(jié)構(gòu)LED，開拓了石墨烯透明電極在LED中應(yīng)用。自2017年回國在中南大學(xué)建設(shè)了第三代半導(dǎo)體平臺和團隊，致力于次世代GaN LED、高溫高功率IGBT模塊封裝和可靠性方面研究。工作數(shù)次被專業(yè)媒體如Compound Semiconductor、Semiconductor Today 報道，獲最佳年輕研究人員（英國物理協(xié)會，SST,2018）、湖湘高層次創(chuàng)新人才等榮譽和獎勵。
許晟瑞, 西安電子科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師。博士畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè),2011年留校工作，2017年破格晉升教授、博導(dǎo)。長期從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究,在Nano Letters，Applied Physics Letters,Journal of Applied Physics等期刊發(fā)表相關(guān)領(lǐng)域的論文100余篇。研究成果獲得2011年，2014年陜西省科學(xué)技術(shù)一等獎和2017年教育部技術(shù)發(fā)明一等獎。主持國家自然科學(xué)基金項目、國家重點研發(fā)計劃子課題項目、陜西省重點產(chǎn)業(yè)鏈項目等課題，參與國家科技重大專項等多項國家重點課題。
張志國，博士、博士后、研究員，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司副總經(jīng)理,具有十五年寬禁帶半導(dǎo)體研發(fā)、生產(chǎn)和管理經(jīng)歷，是國內(nèi)較早在此領(lǐng)域開展研究人員之一。牽頭建立了國內(nèi)首個GaN微波功率器件工藝技術(shù)研發(fā)平臺，編寫了國內(nèi)首套研發(fā)工藝和檢驗規(guī)范。基于此平臺后續(xù)研制的GaN微波功率器件和芯片產(chǎn)值超億元。研制出國內(nèi)第一支瓦級GaN HEMT器件，第一支X波段GaN MMIC芯片，為后續(xù)規(guī)模應(yīng)用奠定工藝和理論基礎(chǔ)。開發(fā)了國內(nèi)首個X波段GaN MMIC工程化產(chǎn)品，形成詳細規(guī)范并在系統(tǒng)中進行驗證和試用。先后承擔(dān)和參與十幾項國家重大專項、北京市重大項目等，發(fā)表論文四十余篇。作為專家參與多項國家級和北京市寬禁帶半導(dǎo)體規(guī)劃工作。
