氮化鎵被稱為第三代半導體材料，也是目前最有發展前景的半導體材料之一，因其優良的物理化學特性，能實現器件的高頻、高效等特性，大幅度降低系統能耗，能廣泛應用于5G通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、數據中心等新興領域；氮化鎵具有的優異特性和廣泛的應用前景使其成為新一代半導體產業發展的焦點。

　　英諾賽科科技有限公司是2015年12月由海歸團隊發起，集合了眾多國內外精英聯合創辦的寬禁帶半導體電力電子器件研發與生產的高科技企業,致力于研發和生產8英寸硅基氮化鎵功率器件。英諾賽科成功建成全球首條8英寸增強型硅基氮化鎵功率器件量產線，主要產品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件。產品的各項性能指標均達到國際先進水平， 得到各大客戶的認可，能廣泛應用于多個新興領域， 如5G 通信、人工智能、新能源汽車、數據中心等等。

　　英諾賽科從成立至今的三年多的時間里， 憑借其團隊雄厚的研發實力和生產技術，在產品開發上取得非常亮眼的成績，快速成長為國內第三代半導體研發與生產的先鋒企業。

 

　　英諾賽科的商業模式是集研發、設計、制造以及測試一體化的IDM全產業鏈模式，建有自有可靠性和失效分析平臺，具有產品快速迭代的能力，確保產品具有高性能、低成本、高可靠性等市場優勢。目前發布了多款產品，并且已經開始在快充、激光雷達、無線充電、LED 照明領域得到應用。

 

　　屆時，駱薇薇董事長將在27日下午閉幕大會上做《硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰》大會報告。英諾賽科研發中心副總裁周春華將在“”分享《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術：從器件、封裝、到系統》研究報告。敬請關注！