2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
AlN為直接帶隙半導體材料，具有熱穩定性好、耐腐蝕、耐輻射等優良的物理和化學性能，作為襯底材料，潛力巨大，其制備方法備受關注。Nitride Crystals Inc.執行總裁Yuri MAKAROV帶來了關于“全球首款4英寸精加工批量AlN晶圓片”的主題報告，分享了最新進展。
Yuri Makarov博士1980年獲得圣彼得堡技術大學物理與力學碩士，1983年取得圣彼得堡技術大學流體力學與等離子物理博士。2002起他任職氮化物晶體集團公司執行總裁，不僅是維吉尼亞州里士滿，還是俄羅斯圣彼得堡氮化物晶體集團執行總裁。他的科研領域集中在研究晶體的生長和外延，包括：升華法生長塊狀SiC晶體、升華法生長塊狀AlN晶體、開發和制造PVT法生長SiC和AlN晶體設備、開發設備和氫化物氣相外延法外延生長技術、外延生長和氮化物異質結分析、以及應用于醫學和生物學的蛋白質和DNA檢測石墨烯基層傳感器。
報告中，他分析了關于基于SiC籽晶生長的AlN單晶的表征數據、在NCG的AlN晶圓上制造的外延和器件等內容。
AlN為直接帶隙半導體材料，具有熱穩定性好、耐腐蝕、耐輻射等優良的物理和化學性能，作為襯底材料，潛力巨大，其制備方法備受關注。Nitride Crystals Inc.執行總裁Yuri MAKAROV帶來了關于“全球首款4英寸精加工批量AlN晶圓片”的主題報告，分享了最新進展。
Yuri Makarov博士1980年獲得圣彼得堡技術大學物理與力學碩士，1983年取得圣彼得堡技術大學流體力學與等離子物理博士。2002起他任職氮化物晶體集團公司執行總裁，不僅是維吉尼亞州里士滿，還是俄羅斯圣彼得堡氮化物晶體集團執行總裁。他的科研領域集中在研究晶體的生長和外延，包括：升華法生長塊狀SiC晶體、升華法生長塊狀AlN晶體、開發和制造PVT法生長SiC和AlN晶體設備、開發設備和氫化物氣相外延法外延生長技術、外延生長和氮化物異質結分析、以及應用于醫學和生物學的蛋白質和DNA檢測石墨烯基層傳感器。
報告中，他分析了關于基于SiC籽晶生長的AlN單晶的表征數據、在NCG的AlN晶圓上制造的外延和器件等內容。
