2019年11月25日下午，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）開幕大會在深圳會展中心隆重召開。本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。 

第三代半導體技術發展迅猛，全球產業處于起步階段，已成為國際焦點，中國市場需求巨大。那么中國第三代半導體未來發展如何？第三代半導體產業技術創新戰略聯盟秘書長于坤山帶來“中國第三代半導體的發展”的報告。

第三代半導體是支撐智能、綠色、可持續發展的關鍵技術。當前，國內外經濟形勢復雜、貿易紛爭頻發，半導體行業景氣下滑，但第三代半導體產業逆勢增長。第三代半導體應用領域擴張，細分領域滲透加速，市場規模可期。產品技術性能趨于穩定，規模化生產工藝成功接受市場考驗，行業對技術的關注點從創新研發步入工業級技術改造階段，第三代半導體技術逐漸成熟。資本進入熱度不減，擴產和新建持續，產業生態不斷完善。轉“危“為”機”，貿易戰背景下的國產替代加速。國內產值連年翻番，部分企業實現商業化盈利，第三代半導體產業成功跨越“技術泡沫期”，產業進入理性發展期。

產值逐年翻番，電力電子和射頻規模超過60億。5G商業化迅猛推進，引爆GaN微波射頻市場，氮化鎵器件成為5G通信基站射頻的主流技術。未來五年，下游5G基礎設施的增長將帶來近400億的GaN射頻器件市場需求。GaN射頻器件具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能，是硅和砷化鎵射頻器件的換代產品。氮化鎵器件成為5G通信基站射頻的主流技術，未來五年，我國GaN射頻器件應用市場快速增長，預計2019-2024年期間，我國GaN射頻器件市場將保持43%年度增長率；2023年市場規模將超過310億元。

汽車半導體應用取得實質性進展，快充市場應用逐步推進。未來五年，我國第三代半導體電力電子器件應用市場快速增長。2024年我國電力電子器件應用市場規模預計達到200億元，未來5年增速將接近40%。與此同時，工業化技術逐步穩定，產品商業化持續推進。產品價格逐漸進入甜蜜點，應用滲透加速。區域性產業集群正在快速成型，資本不斷進入，擴產和新建持續。

看未來，以新能源汽車、光伏逆變器和電源應用為牽引，帶動了SiC電力電子產業的發展，也推動國際SiC單晶襯底由4英寸向6英寸轉移，SiC產業鏈不斷完善，產業化程度提高；隨著中國、歐洲、日本、美國啟動5G應用，5G射頻技術帶動了微波射頻產業的快速發展，促使高純半絕緣SiC單晶襯底以及相應的外延和芯片工藝快速產業化；受中美貿易戰的影響，中國LED產業未達增長預期，但不斷成長的光與健康、醫療、環境等應用，為產業發展拓展了更大的空間。一些具有戰略眼光的企業已在布局Mini-LED、Micro-LED等新一代顯示產業。

目前，聯盟推動協同創新體系和產業生態的完善，全鏈條部署一體化實施、形成合力的發展戰略，組建標準化委員會，啟動制定團體標準。于坤山表示，在中國，產業技術創新戰略聯盟是一件新事物，特別是在產業發展的早期，其協助政府部門開展頂層設計、優化產業布局，聯合產學研協同突破制約產業發展的技術瓶頸，聯合政府、產學研和資本共同建設以產業集聚為特征的產業基地等方面發揮著獨特的作用，是一只推動創新性產業不斷走向成熟和發展的重要力量。

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）