11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。 

2019年11月26日上午，“可靠性與熱管理技術” 分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司協辦。新加坡南洋理工大學副教授DU Hejun，華中科技大學能源與動力工程學院院長、中歐清潔與可再生能源學院中方院長羅小兵，北京工業大學教授郭偉玲，德國達姆施塔特工業大學研究助理Ferdinand KEIL，中國科學院半導體研究所馬占紅，香港科技大學趙惠珊，半導體照明聯合創新國家重點實驗室(常州基地)研發工程師陳威等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。

隨著固體照明技術的發展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關注。中國科學院半導體研究所馬占紅做了題為“適用于可見光通信高帶寬微發光二極管的可靠性分析”的報告，分享了制備帶寬高達1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應力下的可靠性。

與傳統的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優點。它也被認為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發光二極管（Micro-LED）已經可以被用于傳輸速率為幾Gbps的通信應用，這主要是因為微型led的尺寸小，電流分布廣，電流密度容量大。通過增加注入電流密度，微LED的調制帶寬可以顯著地提高到數百兆甚至千兆赫茲。然而，隨著電流密度的增加，微型微LED的結溫也會增加。在高電流密度下，微型微LED將同時受到大電流和高溫加速應力的影響，導致其性能迅速下降，壽命縮短，制約了VLC的進一步發展。然而到目前為止，微微LED在VLC應用中的可靠性分析還很有限，高帶寬微微LED在VLC應用中的退化行為和失效機理還不清楚。

研究制備了帶寬高達1GHz的氮化鎵基微微LED，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應力下的可靠性。在測試過程中，分別用積分球、吉時利 2400源表和安捷倫 E5061B矢量網絡分析儀測量了器件的電致發光（EL）、電流電壓（I-V）特性和小信號頻率響應。光功率和I-V曲線的衰減行為主要歸因于激活區內或周圍點缺陷的產生，而點缺陷又是陷阱輔助隧穿（TAT）和非輻射復合的主要原因。在這個過程中產生的相關缺陷不僅降低了注入量子阱區域的載流子密度，而且提高了輻射復合和俄歇復合的載流子壽命。這些結果將有助于提高在高電流密度下工作的高帶寬微型微LED的可靠性。

  

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）