2019年11月25-27日，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會(huì)，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會(huì)由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會(huì)加拿大多倫多大學(xué)吳偉東教授主持。

　　氮化鎵材料憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，穩(wěn)穩(wěn)地占領(lǐng)了理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，確立了其在制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。

　　會(huì)上，邀請(qǐng)到了美國(guó)Transphorm Inc.高級(jí)副總裁YifengWU先生分享了《擊穿電壓超過(guò)650V同時(shí)結(jié)溫超過(guò)150°C的氮化鎵功率器件》技術(shù)報(bào)告。Transphorm致力于讓功率電子設(shè)備突破硅極限。公司設(shè)計(jì)、制造并銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的具備最高效能、最高可靠性的 GaN 半導(dǎo)體。Transphorm是首家發(fā)布出廠器件現(xiàn)場(chǎng)故障數(shù)據(jù)的高電壓GaN FET供應(yīng)商。該數(shù)據(jù)用于計(jì)算以百萬(wàn)分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現(xiàn)場(chǎng)故障率，以顯示這項(xiàng)技術(shù)的可靠性?，F(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的可用性是功率系統(tǒng)中高電壓GaN重要的新指標(biāo)，因?yàn)樗砻骷夹g(shù)的成熟性。

 

　　事實(shí)上，市場(chǎng)顯示的軌跡呈正增長(zhǎng)趨勢(shì)。市場(chǎng)研究和戰(zhàn)略咨詢公司Yole Développement (Yole)報(bào)告稱，到2023年，功率GaN市場(chǎng)規(guī)模將快速擴(kuò)大，達(dá)到4.08億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR)為91%.1有望推動(dòng)增長(zhǎng)的高電壓應(yīng)用包括快速充電器、數(shù)據(jù)中心及其他高端電源。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解】