碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、新能源汽車、工業電機等領域具有巨大的發展潛力。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區科技創新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協辦支持。該會加拿大多倫多大學吳偉東教授主持。

　　會上，邀請到了加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了《用于增強型GaN功率晶體管的智能門極驅動芯片》研究報告。吳偉東，多倫多大學電子與計算機工程系教授，其研究領域涵蓋智能功率半導體器件及其制作工藝，他尤其擅長功率管理集成電路、集成電源開關和集成D類音頻功率放大器的開發。1990年獲得多倫多大學的博士學位。1992年吳教授加入香港大學開始學術研究生涯。1993年，吳教授加入多倫多大學，組建了智能功率集成電路和半導體器件研究團隊，他于1998年和2008年分別晉升為副教授和正教授，他擁有智能功率集成電路和射頻領域CMOS技術研發與改進的豐富閱歷。

 

　　報告中，介紹了基于senseFET的門驅動器集成電路，片上死區時間發電機確保高速和低速門信號匹配，反向傳導檢測塊檢測脈沖寬度，片上時分c將脈沖寬度解碼成二進制碼，片上閉環控制加速死區校正。今后的研究方向，將實施濾波器以消除振鈴，校正速度的外部反饋控制，實現峰值電流檢測，開發閉環主動驅動策略。【內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解】