會(huì)上，邀請(qǐng)到了日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報(bào)告。敖金平博士1989年畢業(yè)于武漢大學(xué)物理系，獲學(xué)士學(xué)位。1992年獲電子工業(yè)部第十三研究所半導(dǎo)體物理與半導(dǎo)體器件物理碩士學(xué)位。2000年獲吉林大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。2001年赴日本國(guó)立德島大學(xué)作博士后研究員，2003年11月起加入德島大學(xué)并于2012年升任準(zhǔn)教授。2016年起任西安電子科技大學(xué)特聘教授，博士生導(dǎo)師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。敖博士是國(guó)際電氣電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)高級(jí)會(huì)員，美國(guó)電氣化學(xué)協(xié)會(huì)(ESC)會(huì)員，日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)會(huì)員以及日本電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)會(huì)員。

 

　　報(bào)告首先對(duì)常關(guān)型AlGaN/GaN HFET的發(fā)展將進(jìn)行總結(jié)。具有p GaN帽層結(jié)構(gòu)的常關(guān)型AlGaN/GaN HJFET進(jìn)行介紹，在這其中的本征無摻雜GaN將被作為在p GaN帽層和AlGaN阻擋層之間的隔離層，其作用是減輕Mg的擴(kuò)散。p-GaN帽層的E型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HJFETs），20nm的阻擋層能有效地阻擋Mg向AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的擴(kuò)散，獲得了 1200 cm2V-1s-1的溝道遷移率，提出了具有金屬絕緣體半導(dǎo)體（MIS）結(jié)構(gòu)的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（HJFET）電介質(zhì)。采用ICP輔助低溫工藝制備了自對(duì)準(zhǔn)柵（SAG）結(jié)構(gòu)，獲得了1.6 V的閾值電壓，顯示出了正極性位移。由于SiN介電常數(shù)，正向BiARs中的柵極電流被動(dòng)態(tài)地抑制了1500 cm2/Vs的最大場(chǎng)效應(yīng)遷移率。基于這種結(jié)構(gòu)還提出了帶有金屬絕緣半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的AlGaN/GaN HJFET。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解】