碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發(fā)展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2019年11月25-27日，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會(huì)，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會(huì)由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會(huì)加拿大多倫多大學(xué)吳偉東教授主持。
會(huì)上邀請(qǐng)到了比利時(shí)IMEC的高級(jí)業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Denis MARCON分享了《200mm/8英寸GaN功率器件和基于GaN的電路技術(shù)：一個(gè)對(duì)于襯底供應(yīng)商、制造商和代工工廠的全新機(jī)遇》研究報(bào)告。Denis Marcon于2006年取得意大利帕多瓦大學(xué)的碩士學(xué)位。隨后，他于2011年獲得魯汶天主教大學(xué)和IMEC的工程學(xué)博士學(xué)位，論文名為“基于功率氮化鎵的晶體管的可靠性研究”。目前，他是比利時(shí)IMEC的高級(jí)業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)理，直接負(fù)責(zé)IMEC在GaN功率電子領(lǐng)域以及基于Si的器件和傳感器的專門開發(fā)項(xiàng)目上的合作。
報(bào)告中總結(jié)現(xiàn)有IMEC的8英寸硅基氮化鎵E型器件制造技術(shù)并介紹我們是如何解決所遇到的挑戰(zhàn)。同時(shí)，IMEC的氮化鎵IC技術(shù)也將會(huì)被提到，并會(huì)介紹哪些應(yīng)用可以借助此技術(shù)來實(shí)現(xiàn)?！ MEC首次展示了在標(biāo)準(zhǔn)（非專用）Si生產(chǎn)工廠中生產(chǎn)高性能200mm/8英寸GaN-on-Si晶體管的可能性。這為利用現(xiàn)有的200mm/8英寸硅生產(chǎn)線生產(chǎn)GaN基分立器件開辟了可能性。如今，IMEC已經(jīng)在在性能和可靠性方面不斷改進(jìn)，可用于100、200和650V功率交換應(yīng)用。除此之外，IMEC還使下一代GaN技術(shù)具有更高的集成度和更寬的電壓范圍。
特別是致力于實(shí)現(xiàn)全GaN功率集成（IC）電路，其中所有組件（如半橋、驅(qū)動(dòng)器、比較器、死區(qū)控制等）集成到單個(gè)GaN芯片中。這項(xiàng)技術(shù)改變了GaN的游戲規(guī)則，可與幾年前Si技術(shù)的情況相媲美，并使今天的現(xiàn)代電子技術(shù)成為可能。利用imec的GaN集成電路技術(shù)，設(shè)計(jì)者最終可以充分發(fā)揮GaN技術(shù)的潛力，在芯片上實(shí)現(xiàn)前所未有的復(fù)雜緊湊的電力系統(tǒng)。演講中，介紹了imec的8英寸/200mm GaN on-Si電子模式器件技術(shù)的現(xiàn)狀，以及如何應(yīng)對(duì)和解決關(guān)鍵挑戰(zhàn)?！緝?nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解】
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