碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也代表了功率電子器件的發(fā)展方向，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)電機等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會由分會主席浙江大學(xué)特聘教授、電氣工程學(xué)院院長盛況和中山大學(xué)教授劉揚共同主持。
會上，邀請到了國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工、教授楊霏分享了《碳化硅高壓電力電子器件及應(yīng)用進展》技術(shù)報告。
碳化硅（SiC）作為近年來備受關(guān)注的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高熱導(dǎo)率以及高電子飽和漂移速度等良好的物理和電學(xué)特性。寬禁帶半導(dǎo)體SiC電力電子器件,突破了傳統(tǒng)硅基器件在耐壓、工作頻率以及轉(zhuǎn)換效率等方面的性能極限,從而使電力系統(tǒng)功耗降低30%以上,在＂大容量柔性直流輸電＂、＂高效高體積功率密度電力電子變壓器＂等未來新一代智能電網(wǎng)領(lǐng)域具有非常廣泛的應(yīng)用前景。
報告中介紹了超高壓碳化硅電力電子器件在智能電網(wǎng)中應(yīng)用的重要性,對近年來國內(nèi)外超高壓碳化硅電力電子器件（〉10 kV）的結(jié)構(gòu)設(shè)計、研制水平、最新進展以及其面臨的挑戰(zhàn)進行分析總結(jié),并對超高壓碳化硅電力電子器件在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用及未來的發(fā)展前景做出概述與展望。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】
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