2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術分會，“功率電子器件及封裝技術Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會由分會主席浙江大學特聘教授、電氣工程學院院長盛況和中山大學教授劉揚共同主持。

　　會上，邀請到了蘇州鍇威特半導體股份有限公司總裁丁國華帶來了《改進碳化硅MOSFET RONSP的器件結構和工藝研究》主題報告。丁國華，蘇州鍇威特半導體有限公司總裁，1986年本科畢業(yè)于西安交通大學半導體物理與器件專業(yè)，1991年東南大學半導體物理與器件專業(yè)碩士畢業(yè)。1986年7月至1997年12月在中國華晶電子集團公司工作，歷任產(chǎn)品工藝工程師、產(chǎn)品設計工程師及分廠技術副廠長等職務。2003年5月創(chuàng)立無錫硅動力微電子股份有限公司，先后任公司副董事長，總經(jīng)理、董事長等職務。曾被無錫政府授予優(yōu)秀總經(jīng)理。在2015年加盟蘇州鍇威特半導體股份有限公司，任公司總裁，獲蘇州姑蘇領軍人才。公司致力于功率半導體器件與功率集成芯片的開發(fā)與銷售。公司于2018年成功推出量產(chǎn)級1200V SiC MOSFET，公司2018年獲江蘇省“科技小巨人企業(yè)”稱號。

 

　　丁國華總裁表示，碳化硅MOSFET由于工藝制造上的難點和材料限制，無法像硅基MOSFET利用自對準工藝形成溝道，導致溝道長度的設計必須考慮光刻套刻偏差的影響，不能設計為最優(yōu)尺寸，以及在SiC-Sio2界面的缺陷密度導致溝道遷移率下降，都對RONSP造成不利影響。如何降低光刻套刻偏差對溝道長度的影響以及優(yōu)化SiC-SiO2界面的缺陷密度，提高溝道遷移率。【內容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】