2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會由分會主席浙江大學(xué)特聘教授、電氣工程學(xué)院院長盛況和中山大學(xué)教授劉揚(yáng)共同主持。

　　會上，邀請到了中國科學(xué)院微電子研究所湯益丹分享了《大電流1.2kV SiC JBS器件浪涌能力電熱分析》研究報告。

 

　　基于SiC結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管工作原理及其電流/電場均衡分布理論,采用高溫大電流單芯片設(shè)計技術(shù)及大尺寸芯片加工技術(shù),研制了1 200 V/100 A高溫大電流4H-SiC JBS二極管。該器件采用優(yōu)化的材料結(jié)構(gòu)、有源區(qū)結(jié)構(gòu)和終端結(jié)構(gòu),有效提高了器件的載流子輸運(yùn)能力。測試結(jié)果表明,當(dāng)正向?qū)▔航禐?.60 V時,其正向電流密度達(dá)247 A/cm^2（以芯片面積計算）。在測試溫度25和200℃時,當(dāng)正向電流為100 A時,正向?qū)▔航捣謩e為1.64和2.50 V;當(dāng)反向電壓為1 200 V時,反向漏電流分別小于50和200μA。動態(tài)特性測試結(jié)果表明,器件的反向恢復(fù)特性良好。器件均通過100次溫度循環(huán)、168 h的高溫高濕高反偏（H3TRB）和高溫反偏可靠性試驗,顯示出優(yōu)良的魯棒性。器件的成品率達(dá)70%以上。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解】