以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?br />  

11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開。

 

11月26日上午，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)” 分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)由蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
 

日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長龍世兵，西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS，鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授劉玉懷，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)，北京大學(xué)劉放等來自中外的強(qiáng)勢力量聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。

會(huì)上，日本國立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為“超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長和特性”的主題報(bào)告，報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整(InGa)2O3或(AlGa)2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的特性。

深紫外線檢測技術(shù)具有重要的應(yīng)用，例如紫外線成像，紫外線/紅外線雙重引導(dǎo)，預(yù)警系統(tǒng)，紫外線通訊，紫外線干擾等。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)趙曉龍做了題為“ Ga2O3半導(dǎo)體器件-深紫外光電探測器”的主題報(bào)告，介紹了Ga2O3材料和DUV光電探測器、各種用于光檢測的半導(dǎo)體、適用于UVPD的寬帶隙Ga2O3半導(dǎo)體等現(xiàn)狀，大規(guī)模Ga2O3襯底的方法以及Ga2O3外延層生長的各種方法。
 

 

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了“金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展”的主題報(bào)告，結(jié)合具體的研究進(jìn)展，分享了單晶金剛石的生長與表征，金剛石設(shè)備的制造和表征等研究內(nèi)容。

 

瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS做了分享了多晶金剛石微納米粉在碳化硅晶圓加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)。介紹了SiC晶圓加工的個(gè)性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關(guān)鍵的流程步驟等內(nèi)容。

 

鄭州大學(xué)教授, 日本名古屋大學(xué)客座教授劉玉懷帶來了題為“氮化鋁/藍(lán)寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機(jī)金屬氣相外延研究”的主題報(bào)告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。

 

西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)做了題為“六方氮化硼薄膜的磁控濺射制備及光電特性”的主題報(bào)告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開關(guān)行為等內(nèi)容。

 

北京大學(xué)劉放帶來了題為“高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了在Al₂O₃（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
 

    （內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）