半導體發光器件是顯示技術與照明技術的共同基礎。近年來，隨著各種半導體發光材料和器件的不斷發展，新型顯示技術與照明技術的結合更加緊密，為未來顯示與照明技術的交叉和多元化應用奠定了基礎。其中，Micro-LED近年來發展尤為迅速。從系統應用看，新型顯示與照明技術還涉及到新型基板、電路驅動與控制、面板制造工藝、激光技術等，對新型顯示與照明技術的發展起著重要的作用。 

11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。

11月26日上午，“Micro-LED與其他新型顯示技術”分會如期召開。本屆分會由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、德國愛思強股份有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司協辦。

法國原子能委員會電子與信息技術實驗室研究主任Francois TEMPLIER，北京大學教授陳志忠，德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA，美國Lumiode, Inc.創立者兼總裁Vincent LEE，北方華創PVD事業部LED產品經理郭冰亮，和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和，南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌，德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH  Tobias STEINEL等來自中外的精英代表齊聚一堂，圍繞著Micro-LED與新型顯示技術，分享前沿研究成果。         

法國原子能委員會電子與信息技術實驗室研究主任Francois TEMPLIER帶來了題為“對于制造CMOS電源、高性能MicroLED顯示的新概念”的主題報告，討論了一種由LETI發明的新方法去解決主動陣列顯示的問題。提出了一種新的方法，其可以使RGB MicroLED的部件都整合在CMOS驅動電路中并制備在一個簡單的襯底上。這個方法將有效提升顯示驅動，并可以為高質量 MicroLED顯示技術提供一個新的方向。

北京大學教授陳志忠做了題為“針對每平方厘米kW級別的高功率microLED三維熱量傳輸研究“的主題報告，紅外熱成像結果表明，溫度均勻分布在GaN襯底上。熱瞬態測量表明，GaN襯底上的mLED的臺面，外延層和GaN /襯底界面的熱阻顯著降低。這意味著高質量的GaN晶體和均勻的界面對應于聲子的很少散射。結合了GaN基板的小型mLED可以成為高亮度顯示和可見光通信的理想選擇。

德國ALLOS Semiconductors首席技術官Atsushi NISHIKAWA分享了 采用精準應力控制技術實現用于microLED顯示的 '1 bin' 等級高波長均勻度（0.566 nm標準偏差）的8英寸硅基氮化鎵LED的研究成果。

美國Lumiode, Inc.創立者兼總裁Vincent LEE分享了面向MicroLED顯示的III-V族LED與超薄硅晶體管集成技術，介紹了Lumiode的最新技術，其可以用半導體的集成技術在一個晶圓中整合MicroLED和硅基薄膜晶體管。

北方華創PVD事業部LED產品經理郭冰亮帶來了題為“北方華創Mini-LED和Micro-LED產品解決方案”的主題報告，結合具體案例，分享了在Mini-LED和Micro-LED方面的進展。

和蓮光電科技股份有限公司董事長邰中和做了題為“驅動技術推動Micro LED 顯示及照明應用“的主題報告，分享了Micro-LED在AR智能眼鏡、智能矩陣大燈等領域的應用狀況以及相關技術進展。

南京大學電子科學與工程學院副院長、教授劉斌做了題為“納米模板生長和制備非/半極性面LED及Micro-LED器件”的主題報告，分享了Micro-LED在AR智能眼鏡、智能矩陣大燈等領域的應用狀況以及相關技術進展。介紹了MOCVD生長的半極性InGaN / GaN MQW，半極性微型LED的制造等最新研究成果。

德國Instrument Systems optische Messtechnik GmbH 的Tobias STEINEL做了題為“用于μ-LED和OLED顯示器和晶圓的亞像素評估的成像光測量設備”的主題報告，分享了µ-LED / OLED顯示測試在生產中的挑戰，µ-LED晶圓測試在生產中的挑戰等內容。

    （內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）