11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
11月26日下午，“襯底、外延及生長裝備” 分會如期召開。本屆分會由中微半導體設備（上海）股份有限公司、蘇州鍇威特半導體股份有限公司、中國電子科技集團第十三研究所、國家電網全球能源互聯網研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協辦。
碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用，其材料水平直接決定了器件的性能。本屆分會涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質外延薄膜、測試表征和相關的設備，對SiC和GaN從機理到工業化進程進行系統的探討。
日本國立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長、東京工業大學兼職教授坂田修身，美國亞利桑那州立大學助理教授鞠光旭，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發工程師Andrey SMIRNOV，鄭州大學Mussaab I. NIASS，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. ROWLAND，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術官Ismail I. KASHKOUSH，廈門大學副教授林偉，中國科學院半導體研究所何亞偉等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。
會上，鄭州大學Mussaab I. NIASS做了題為“藍寶石基B0.375GaN/B0.45GaN量子阱結構的激光二極管中n-p電極對于p型電導率的影響”的主題報告，分享了最新研究成果。研究設計了由BxGa1-xN組成的邊緣發射激光二極管EELD，并假設其在藍寶石襯底上生長。將硼組合物調整到不同的值，以在UV−C波段深處發射，并且由于在許多尚未商業化的應用中非常重要，因此將其計算為270 nm。阻止實現這種二極管類型的制造的最大問題之一是差的P型導電性。研究根據假設對結果進行分析，發現不規則的位移可能是由于N / P電極下方區域的尺寸/體積的變化而導致Mg和Si摻雜濃度的變化。研究同時還分析了N和P電極區域的V-I和L-I曲線。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
