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英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇:硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰

放大字體  縮小字體 發布日期:2019-11-28 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:699
 2019年11月27日下午,由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導體論壇(IFWS 2019)在深圳會展中心順利落下帷幕。

本屆論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)主辦,并得到深圳市龍華區科技創新局特別支持。國家科學技術部高新技術司、國家科學技術部國際合作司、國家工業和信息化部原材料工業司、國家節能中心、國家新材料產業發展專家咨詢委員會、深圳市科技創新委員會等大力支持。深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦。
駱微微

閉幕式上,來自國內外產學研用的重量級嘉賓分享特邀專題報告,從技術、產業趨勢等角度帶來最前沿的觀點分享。其中,英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產業化發展的機遇與挑戰。

駱薇薇在美國宇航局(NASA)工作了15年,并創辦了兩家以新材料為核心業務的高科技公司。2015年底,英諾賽科選擇在珠海國家高新區落戶,是一家典型的創新型高科技企業,目前公司有26項科技成果獲得國際專利,并有其他40多項成果正在申請國際專利。
英諾賽科

報告中,結合半導體材料的發展及市場需求,分享了硅基氮化鎵的面臨的機遇與挑戰,以及降低成本的途徑。同時她表示GaN生態系統尚未完成,上中下游需要加強多方合作。

(內容根據現場資料整理,如有出入敬請諒解)

 
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