11月27日上午，“微波射頻與5G移動(dòng)通信” 分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)由蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
臺(tái)灣長庚大學(xué)教授邱顯欽、德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所部門技術(shù)部門經(jīng)理Peter BR?CKNER、中興無線技術(shù)總工及技術(shù)委員會(huì)專家劉建利、西安電子科技大學(xué)教授劉志宏、北京國聯(lián)萬眾科技有限公司副總經(jīng)理張志國、南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱、中國電子科技集團(tuán)第41研究所張光山、河北半導(dǎo)體研究所王毅等來自中外的強(qiáng)勢(shì)力量聯(lián)袂帶來精彩報(bào)告。河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持了本次分會(huì)。
會(huì)上，南京電子器件研究所高級(jí)工程師張凱分享了一種新型毫米波氮化鎵高線性晶體管，張凱專注于探索創(chuàng)造新穎的、先進(jìn)的GaN器件，包括高線性GaN器件、太赫茲GaN器件以及Si基GaN微波毫米波器件等。目前為止，典型成果包括國際第一個(gè)具有優(yōu)異功率性能的GaN FinFET器件，國內(nèi)截止頻率最高的SiC襯底上GaN器件、國際整體性能最優(yōu)的Si基GaN高頻器件（以上結(jié)論依據(jù)源于已發(fā)表文章、會(huì)議等），成果曾經(jīng)兩次被Semiconductor Today雜志專題報(bào)道。
報(bào)告中，創(chuàng)新提出一種增強(qiáng)式緩變溝道的GaN HEMTs器件，器件展現(xiàn)了相當(dāng)優(yōu)異的開態(tài)以及關(guān)態(tài)特性，同時(shí)顯著減緩跨導(dǎo)的下降，（0.15µm器件截止頻率fT/fmax達(dá)~85/250 GHz），出色的綜合性能使得本成果在5G毫米波通信等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
