11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。
第三代半導體材料在紫外器件中具備其他半導體材料難以比擬的優勢，展現出巨大的應用潛力。分會重點關注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結構設計及外延，以及發光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關鍵制備技術。
挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。
河北工業大學教授張紫輝帶來了題為“基于氮化物半導體和碳化硅光電子器件的仿真與分析”的精彩報告，介紹基于氮化物半導體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結果。
研究通過極化調制、摻雜調控等手段適當調節載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統探究了各種參數對載流子輸運及載流子復合過程的影響；并介紹了基于4H-SiC的雪崩光電探測器的數值模擬及實驗工作。
（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）
