11月25-27日，由深圳市龍華區科技創新局特別支持，國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，深圳第三代半導體研究院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
 

11月27日上午，“固態紫外器件技術”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導體設備（上海）股份有限公司協辦。
 

挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，南京大學教授陸海，臺灣交通大學特聘教授郭浩中，中微半導體設備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業大學教授張紫輝，鄭州大學Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學高娜，南京大學王致遠等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現紫外發光和探測領域在材料、器件、封裝及應用等各層面的國內外最新進展。廈門大學教授康俊勇、中科院半導體所研究員、半導體照明研發中心主任王軍喜共同主持了本次分會。

上海大學教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮帶來了題為“大批量工藝制備的高質量氮化鋁模板材料表征分析”的主題報告，作為一種典型的寬帶直接帶隙（6.2 eV）半導體材料，AlN是高Al含量的高溫，高頻，高功率電子和深紫外（UV）光電器件（例如發光器件）的極佳候選者 二極管（LED），激光器，射頻設備，傳感器和高密度光學數據存儲。在過去的幾十年中，人們為通過各種工藝（例如氫化物氣相外延（HVPE），金屬有機化學氣相沉積（MOCVD），分子束外延（MBE）和物理氣相傳輸（PVT））生長AlN做出了巨大努力。 然而，對于大規模工業應用而言，以低成本和可擴展性發展高質量的AlN仍然是一個非常具有挑戰性的問題。
 

報告中介紹了使用Ultratrend Technologies Inc.（UTI）開發的一系列專有技術制造高質量2英寸/ 4英寸AlN模板的工業解決方案。這些專有技術最近已在UTI用于生產2英寸/ 4英寸高質量AlN模板，到2020年的產能為30萬個。所選擇的AlN厚度為200 nm的AlN模板具有高分辨率的特點 X射線衍射（HRXRD）。 對稱和不對稱的HRXRD搖擺曲線分別顯示FWHM為78.4-84.5 arcsec和270.3-341.6 arcsec。 通過原子力顯微鏡（AFM）確定模板的均方根（RMS）粗糙度為0.12nm-0.39nm。所有選擇的模板在FWHM上顯示出很高的均勻性，并在整個表面上具有粗糙度，并且在指定的工藝條件下具有出色的再現性。
 

（內容根據現場資料整理，如有出入敬請諒解）